Eddy Yahya
Institut Teknologi Sepuluh Nopember

Published : 3 Documents Claim Missing Document
Claim Missing Document
Check
Articles

Found 3 Documents
Search

Homogenitas Ketebalan, Konduktivitas Listrik dan Band Gap Lapisan Tipis a-Si:H tipe-p dan tipe-p Doping Delta yang dideposisi dengan Sistem PECVD Enny Kusumawati; Eddy Yahya
Jurnal Fisika dan Aplikasinya Vol 8, No 1 (2012)
Publisher : Lembaga Penelitian dan Pengabdian Kepada Masyarakat, LPPM-ITS

Show Abstract | Download Original | Original Source | Check in Google Scholar | Full PDF (168.982 KB) | DOI: 10.12962/j24604682.v8i1.864

Abstract

Telah berhasil dideposisi lapisan tipis a-Si:H tipe p-biasa dan tipe p-delta menggunakan PECVD dengan pada temperatur 270◦C, tekanan 530mTorr, Laju gas SiH4 = 20 sccm, H2 = 70 sccm, B2H6 = 2 sccm. Lapisan pdelta berstruktur p-i-p menghasilkan ketebalan rata-rata p-delta 198,7 nm dan rata-rata p-tipis 89,7 nm. Sampel dibiarkan dalam ruangan terbuka sehingga warna permukaan sampel tidak homogen. Ketidak-homogenan sampel diuji melalui ketebalan menggunakan ellipsometer dan diamati perubahan band gap menggunakan UV-Vis serta pengukuran konduktivitas dengan metode coplanar kemudian dilihat perbandingan kedua besaran tersebut pada lapisan p-biasa dengan p-delta. Hasilnya, ketebalan lapisan p-biasa cenderung homogen yakni 98,8nm,sedangkan lapisan p-delta bervariasi antara 165,1 - 219,7 nm. Pengukuran band gap cenderung homogen dengan nilai tertinggi 1,60 eV untuk tipe p-biasa dan 1,74 eV untuk tipe p-delta. Pengukuran konduktivitas listrik juga cenderung homogen dengan konduktivitas tertinggi saat gelap dan saat terang berturut-turut 0,71 S/cm dan 1,01 S/cm untuk struktur p-biasa serta 0.39 S/cm dan 0,35 S/cm untuk struktur p-delta.
Studi Karakteristik I-V Sel Surya p-i-n Silikon Amorf Terhidrogenasi (a-Si:H) Suprianto Suprianto; Eddy Yahya; Darminto Darminto
Jurnal Fisika dan Aplikasinya Vol 7, No 2 (2011)
Publisher : Lembaga Penelitian dan Pengabdian Kepada Masyarakat, LPPM-ITS

Show Abstract | Download Original | Original Source | Check in Google Scholar | Full PDF (128.419 KB) | DOI: 10.12962/j24604682.v7i2.905

Abstract

Telah dideposisi lapisan tipis silikon amorf terhidrogenasi dengan tehnik Plasma Enhanced Chemical Vapor deposition (PECVD) dengan daya RF sebesar 5 watt. Selanjutnya lapisan a-Si:H yang terbentuk diaplikasikan sebagai lapisan-i divais sel surya p-i-n. Hasil pengukuran karakteristik I-V dibawah penyinaran 24,7 mW/cm2 pada luas 1 cm2 menunjukkan nilai VOC dan ISC masing-masing 0,568 volt dan 2,71 mA/cm2. Sedangkanpada luas 0,25 cm2 diperoleh nilai VOC dan ISC masing-masing 0,449 volt dan 6,58 mA/cm2 dengan effisiensi 5,31%.
Pengaruh Optis Kontak Belakang terhadap Parameter Optis Lapisan a-Si:H Ismail Ismail; Eddy Yahya
Jurnal Fisika dan Aplikasinya Vol 8, No 2 (2012)
Publisher : Lembaga Penelitian dan Pengabdian Kepada Masyarakat, LPPM-ITS

Show Abstract | Download Original | Original Source | Check in Google Scholar | Full PDF (471.781 KB) | DOI: 10.12962/j24604682.v8i2.867

Abstract

Lapisan a-Si:H dideposisikan dalam substrat corning gelas eagle XG di PECVD dengan parameter deposisi: temperatur substrat 270C, tekanan 530 mTorr, laju aliran silan SiH4 20 sccm, aliran hidrogen 70 sccm dalam waktu 30 menit, diperoleh ketebalan lapisan sekitar 437,2 nm. Kontak belakang Al, Ag, Al/Ag dideposit dalam evaporator MVSystem dengan tekanan vakum 5,0.10−6 torr, sekitar (5 - 10) detik. Plot grafik menggunakan pengukuran data transmisi dari sampel dengan monokromator pada panjang gelombang 400-750 nm pada kisaran 10 nm dalam temperatur kamar 28,5C. Sampel diukur dengan mengkondisikan sudut datang dan sudut bias mendekati normal (i r 0). Peningkatan faktor optis m a-Si:H/Al=1,563 - 1,635, m a-Si:H/Ag = 1,584 - 1,616, dan m a-Si:H/Al/Ag = 2,932 - 3,016. Pengaruh kontak belakang f(RB) a-Si:H/Al = 1,1531 - 1,1581, f(RB) a-Si:H/Ag = 1,1552 - 1,1603, f(RB) a-Si:H/Al/Ag = 1,1573 - 1,1625. Pengumpulan muatan model optis QE a-Si:H/Al = 0,8361 - 0,8723, QE a-Si:H/Ag = 0,8362 - 0,8739, QE a-Si:H/Al/Ag = 0,8387 -0,8755.