Claim Missing Document
Check
Articles

Found 14 Documents
Search

Studi Pengaruh Rasio Masukan Sumber V/III Terhadap Distribusi Sb dan Karakteristik Kelistrikan Lapisan Tipis GaAs1-x Sbx yang Ditumbuhkan dengan Teknik MOCVD [On the Study of the Effect of Source Input V/III to the Distribution of Sb and Electricity.....] Andi Suhandi; Pepen Arifin; Maman Budiman; Muhamad Barmawi
Jurnal Matematika & Sains Vol 12, No 3 (2007)
Publisher : Institut Teknologi Bandung

Show Abstract | Download Original | Original Source | Check in Google Scholar

Abstract

The study of the dependence of the Sb distribution in GaAs1-xSbx films and the electric properties of the GaAs1-xSbx filmsgrown by MOCVD technique using TMGa, TDMAAs, and TDMASb to the V/III source input ratio has been done. The Sbsolid composition in GaAs1-xSbx film was determined by using Vegards law from the shift of the peak intensity of X-raydiffraction pattern. Electric properties of the GaAs1-xSbx films were investigated through room temperature Hall effectmeasurement. The results suggest that the concentration of Sb incorporation into the GaAs1-xSbx films is stronglyaffected by V/III source input ratio. For V/III source input ratio of unity, the Sb distribution coefficient, which is theratio of the Sb composition in GaAs1-xSbx solid to the Sb vapor input mole fraction, is nearly unity. The Sb distributioncoefficient decreases with increasing of V/III source input ratio, for V/III input ratio langer than 1. The range of carriermobility are between 200 – 430 cm2/V.s, depending on the V/III input ratio, and the Sb composition. The highest carriermobility occurred at V/III input ratio of approximately one.
Electrical Characteristics and Annealing Effect on Al/n-GaSb Schottky Diode Doped Using DMTe Ari Handono Ramelan; Harjana Harjana; Pepen Arifin; Ewa Goldys
Jurnal Matematika & Sains Vol 15, No 3 (2010)
Publisher : Institut Teknologi Bandung

Show Abstract | Download Original | Original Source | Check in Google Scholar

Abstract

The electrical properties of Al/n-GaSb Schottky diodes, doped with 1.4 × 1018 cm−3 (tellurium) were examined.  C-V (capacitance-voltage) measurements at 300 K show barrier heights of 0.63 eV, compared to 0.59 eV determined from room temperature I-V (current-voltage)  measurements. The voltage and frequency dependence on the capacitance is due to the ideality factor of the Schottky barrier and due to a high series resistance.  At low frequency the measured capacitance is dominated by the depletion capacitance of the Al/n-GaSb Schottky diode which is bias-dependent and frequency-dependent. The diode shows a strong temperature dependence of ideality factor from approximately 3.6 at room temperature to as high as 6.7 at 140 K.  There may be a small portion of the device nonideality attributable to generation-recombination currents due to deep levels in GaSb. The barrier height decreased from 0.57 eV to 0.35 eV for the sample annealed at 300oC for 1 minute.
SIFAT OPTIK FILM TIPIS GaAs YANG DITUMBUHKAN DENGAN TEKNIK MOCVD VERTIKALMENGGUNAKAN TMGa AND TDMAAs Suhandi1, Andi; Tayubi, Yuyu R.; Arifin, Pepen
Jurnal Spektra Vol 15, No 1 (2014): Spektra: Jurnal Fisika dan Aplikasinya
Publisher : Jurnal Spektra

Show Abstract | Download Original | Original Source | Check in Google Scholar

Abstract

Telah dilakukan studi eksperimen untuk meneliti pengaruh penggunaan sumber metalorganik baru yakni trimethylgallium (TMGa) dan trisdimethylaminoarsenic (TDMAAs) yang dikombinasi dengan variasi temperatur penumbuhan terhadap sifat optik film tipis GaAs yang ditumbuhkan dengan teknik vertical-metalorganic chemical vapor depositions (MOCVD-Vertikal) di atas substrat SI-GaAs. Pengukuran photoluminescence pada suhu ruang (RT-PL) telah dilakukan untuk menginvestigasi sifat optik film tipis GaAs hasil penumbuhan. Puncak spektrum PL pada suhu ruang untuk film tipis GaAs di atas substrat SIGaAs terjadi pada panjang gelombang eksitasi sekitar 8725 Å. Panjang gelombang eksitasi ini bersesuaian dengan nilai celah pita energi optik (optical bandgap, Eg) GaAs hasil penumbuhan sekitar 1,43 eV. Puncak intensitas spektrum PL nilainya bervariasi terhadap temperatur penumbuhan. Dalam rentang temperatur penumbuhan yang digunakan dalam studi ini, puncakintensitas spektrum PL tertinggi terjadi pada film tipis GaAs yang ditumbuhkan dengan temperatur 580oC. Temperatur penumbuhan optimum ini lebih kecil dibanding temperatur penumbuhan optimum untuk film tipis GaAs yang ditumbuhkan dengan menggunakan sumber-sumber metalorganik konvensional. Hasil ini menunjukkan keefektifan penggunaan TDMAAs dalam mereduksi temperatur untuk penumbuhan film tipis GaAs dengan teknik MOCVD-Vertikal.Kata Kunci: Sifat Optik, Film Tipis GaAs, MOCVD Vertikal, Temperatur Penumbuhan
Optimalisasi Struktur Sel Surya GaAs Sambungan p-n dengan Lapisan Antirefleksi yang tergandeng dengan Lapisan Window AlGaAs Andi Suhandi; pepen Arifin
Indonesian Journal of Physics Vol 14 No 2 (2003): Vol. 14 No.2, April 2003
Publisher : Institut Teknologi Bandung

Show Abstract | Download Original | Original Source | Check in Google Scholar

Abstract

Telah dilakukan proses optimalisasi struktur sel surya GaAs sambungan p-n melalui perhitungan secara analitik, dengan variabel perhitungan meliputi makeup divais seperti ketebalan lapisan-lapisan semikonduktor dan konsentrasi doping ketakmurnian, serta parameter parameter divais seperti waktu hidup pembawa muatan minoritas, koefis'en difusi pembawa muatan minoritas, dan laju rekombinasi permukaan. Parameter-parameter divais telah diambil dari data-data hasil eksperimen, hasil simulasi, maupun dari hasil kajian teoretik. Kehadiran lapisan anti refleksi yang tergandeng dengan lapisan window AlGaAs dalam perhitungan ini diwakili dengan nilai transmisivitasnya. Kriteria struktur sel surya optimum ditentukan berdasarkan tingkat pencapaian rapat photocurrent yang optimum.Hasil perhitungan menunjukkan bahwa kehadiran lapisan anti refleksi yang tergandeng dengan lapisan window AIGaAs dapat meningkatkan rapat photocurrent yang dapat dibangkitkan sel surya GaAs secara signifkan. Dibanding dengan bahan lapisan anti refleksi lain, sistem MgFWnS dapat membangkitkan rapat photocurrent paling besar jika dipasang pada sel surya GaAs. Struktur optimum sel surya GaAs terjadi ketika bahan lapisan anti refleksi terbuat dari MgFyZnS, ketebalan lapisan window (AIGaAs) sebesar 20 nm, ketebalan lapisan tipe-p dan tipe-n berturut-turut sekitar 1,5 fan dan 3,5 fan, serta konsentrasi doping akseptor di tipep (N,4) dan konsentrasi doping donor di tipe-n (ND) berturut-turut sekitar 1 x 1018 cm-j, dan 1 x 10" cm-3 . Dengan struktur seperti itu dapat dibangkitkan rapat photocurrent optimum sekitar 46,5 mAlcm2 .