<![CDATA[Abstrak Telah berhasil dibuat film LiTaO3 pada substrat silikon [Si(111)] tipe-n/n+ dengan variasi suhu annealing selama 8 jam pada suhu 600 oC, dan 625 oC. Metode yang digunakan yaitu Chemical Solution Deposition (CSD) dengan spin coating berkecepatan putar 3000 rpm selama 30 detik dalam kelarutan 1 M. Analisis energi band gap menggunakan metode Tauc Plot diperoleh hasil nilai 2.58 dan 2.57 eV. Hasil analisis XRD untuk film LiTaO3 pada suhu annealing 600 0C menunjukkan bahwa struktur kristalnya membentuk hexagonal dengan parameter kisi a=b=5.199Ã… dan c=13.890Ã… . Hasil uji optiknya dapat mengabsorbsi spektrum Inframerah dekat dengan transisi tidak langsung, dan termasuk material semikonduktor. Kata kunci : Energi gap, LiTaO3, sifat optik, silikon tipe n/n+, XRD Abstract LiTaO3 films had been successfully deposited on the substrate of n/n+-type Silicon [Si(111)] wich temperature variant for 8 hours at temperature of 600 oC, and 625 oC. The method can be used Chemical Solution Deposition (CSD) and spin coating with rotational speed 3000 rpm for 30 seconds and 1 M solubility. Analysis of the band gap energy using Tauc Plot method produce results of 2.58 eV and 2.57 eV. The result of XRD Crystal structure analysis showed that LiTaO3 film annealed at 600 oC show a hexagonal structure with lattice parameters of a = b = 5.199Ã… and c = 13.890Ã…. The result of optical characterization has shown that LiTaO3 can absorb near infrared spectrum through indirect transition and indicates that LiTaO3 films is semiconductor materials. Keywords: band gap energy, LiTaO3, optical property, n/n+-type Silicon [Si(111)], XRD]]>
