Yuyu R. Tayubi
Jurusan Pen.Fisika

Published : 5 Documents Claim Missing Document
Claim Missing Document
Check
Articles

Found 5 Documents
Search

PRINSIP VARIASI VAN BAAK SEBAGAI METODE ALTERNATIF DARI TEOREMA SIMPAL KIRCHHOFF UNTUK MENYELESAIKAN PERSOALAN-PERSOALAN RANGKAIAN LISTRIK ARUS SEARAH Tayubi, Yuyu R.; Suhandi, Andi; Kaniawati, Ida; Noor, Suhendiana
Jurnal Pengajaran Matematika dan Ilmu Pengetahuan Alam Vol 2, No 2 (2001): Jurnal Pengajaran MIPA
Publisher : Faculty of Mathematics and Science Education, Universitas Pendidikan Indonesia

Show Abstract | Download Original | Original Source | Check in Google Scholar | DOI: 10.18269/jpmipa.v2i2.391

Abstract

This study compared teaching electric circuit by applying Van Baak Variation Principle and by applying Kirchhoff loop theorem in developing students’ ability to solve DC circuit problems. The study was conducted in one high school in Lembang, about eight km from Bandung to the north. Most of the students come from farmer families with social-economic class status between middle and low. Two intact classes were involved in the study. One class was taught to use van Baak’s variational principle, and the other one was taught to use Kirchhoff loop theorem to solve circuit problems. The result indicates that students performed significantly better in applying van Baak variational principle than Kirchhoff loops theorem to solve complex electric circuit problems. No difference was found in student performance for simple circuits.  Keywords: Van Baak variation principle, Kirchhoff loop theorem, DC electric circuit.
SIFAT OPTIK FILM TIPIS GAN YANG DIDEPOSISI DENGAN TEKNIK SPINCOATING DI ATAS SUBSTRAT SAPPHIRE Tayubi, Yuyu R.; Suhandi, Andi
Jurnal Spektra Vol 15, No 1 (2014): Spektra: Jurnal Fisika dan Aplikasinya
Publisher : Jurnal Spektra

Show Abstract | Download Original | Original Source | Check in Google Scholar

Abstract

Telah dilakukan studi sifat optik film tipis Galium Nitrida (GaN) hasil deposisi dengan teknik spincoating di atas substrat sapphire menggunakan sumber gel gallium-citrate-amine dan gas Nitrogen. Sifat optik yang ditinjau mencakup penentuan celah pita energi optik melalui pengukuran spektroskopi UV-Vis dan spektrum fotoluminisensi pada suhu ruang (RT-PL). Hasil perhitungan dengan menggunakan metode Tauc-Plot yang didasarkan data pengukuran spektroskopi UV-Vis menghasilkan nilai celah pita energi optik film tipis GaN hasil deposisi sekitar 3,46 eV. Sedangkan dari pengukuran spektrum PL pada suhu ruang dihasilkan puncak intensitas spektrum PL untuk film tipis GaN terjadi pada panjang gelombang eksitasi sekitar 3617 nm. Panjang gelombang eksitasi ini bersesuaian dengan nilai celah pita energi (Eg) GaN sekitar 3,44 eV. FWHM dari puncak intensitas spektrum PL nilainya bervariasi terhadap temperatur deposisi. Dalam rentang temperatur deposisi yang digunakan, nilai FWHM puncak intensitas spektrum PL nilainya makinkecil ketika temperatur deposisi ditingkatkan hingga 1223 K.Kata Kunci: Sifat Optik, Film Tipis GaN, Spincoating, Temperatur Deposisi
SIFAT OPTIK FILM TIPIS GaAs YANG DITUMBUHKAN DENGAN TEKNIK MOCVD VERTIKALMENGGUNAKAN TMGa AND TDMAAs Suhandi1, Andi; Tayubi, Yuyu R.; Arifin, Pepen
Jurnal Spektra Vol 15, No 1 (2014): Spektra: Jurnal Fisika dan Aplikasinya
Publisher : Jurnal Spektra

Show Abstract | Download Original | Original Source | Check in Google Scholar

Abstract

Telah dilakukan studi eksperimen untuk meneliti pengaruh penggunaan sumber metalorganik baru yakni trimethylgallium (TMGa) dan trisdimethylaminoarsenic (TDMAAs) yang dikombinasi dengan variasi temperatur penumbuhan terhadap sifat optik film tipis GaAs yang ditumbuhkan dengan teknik vertical-metalorganic chemical vapor depositions (MOCVD-Vertikal) di atas substrat SI-GaAs. Pengukuran photoluminescence pada suhu ruang (RT-PL) telah dilakukan untuk menginvestigasi sifat optik film tipis GaAs hasil penumbuhan. Puncak spektrum PL pada suhu ruang untuk film tipis GaAs di atas substrat SIGaAs terjadi pada panjang gelombang eksitasi sekitar 8725 Å. Panjang gelombang eksitasi ini bersesuaian dengan nilai celah pita energi optik (optical bandgap, Eg) GaAs hasil penumbuhan sekitar 1,43 eV. Puncak intensitas spektrum PL nilainya bervariasi terhadap temperatur penumbuhan. Dalam rentang temperatur penumbuhan yang digunakan dalam studi ini, puncakintensitas spektrum PL tertinggi terjadi pada film tipis GaAs yang ditumbuhkan dengan temperatur 580oC. Temperatur penumbuhan optimum ini lebih kecil dibanding temperatur penumbuhan optimum untuk film tipis GaAs yang ditumbuhkan dengan menggunakan sumber-sumber metalorganik konvensional. Hasil ini menunjukkan keefektifan penggunaan TDMAAs dalam mereduksi temperatur untuk penumbuhan film tipis GaAs dengan teknik MOCVD-Vertikal.Kata Kunci: Sifat Optik, Film Tipis GaAs, MOCVD Vertikal, Temperatur Penumbuhan
STUDI AWAL PENUMBUHAN LAPISAN TIPIS GAN DENGAN TEKNIK SPIN-COATING Rusdiana, Dadi; Suhandi, Andi; Tayubi, Yuyu R.
Jurnal Pengajaran MIPA Vol 5, No 2 (2004): JPMIPA: Volume 5, Issue 2, 2004
Publisher : Faculty of Mathematics and Science Education, Universitas Pendidikan Indonesia

Show Abstract | Download Original | Original Source | Check in Google Scholar | DOI: 10.18269/jpmipa.v5i2.35660

Abstract

GaN merupakan material semikonduktor yang memiliki nilai celah pita energi (Eg ) sekitar 3,45 eV pada temperatur ruang dengan struktur transisi langsung. Keadaan ini membuat GaN sangat potensial untuk aplikasi divais optoelektronik yang beroperasi para rentang panjang gelombang UV. Dalam studi ini telah dilakukan uji penumbuhan lapisan (GaN) di atas  substrat Si (100) dan Al2O3 (0001) dengan teknik  sol-gel spin-coating dengan menggunakan kristal gallium-citrate-amine sebagai prekursor Ga. Teknik ini tergolong sederhana, mudah pengoperasiannya dan relative murah. Hasil karakterisasi lapisan GaN yang berhasil ditumbuhkan menunjukkan bahwa baik yang ditumbuhkan di atas substrat  Si (100) maupun  Al2O3 (0001) masih memiliki struktur polikristal.  Kualitas morfologi lapisan GaN masih relatif rendah, dengan ketebalan rata-rata berkisar antara 1-1,5 m. Nilai celah pita energi lapisan GaN yang ditumbuhkan di atas Al2O3 (0001) berdasarkan hasil karakterisasi UV-Vis spectroscopy adalah sekitar 3.20 eV. Nilai ini masih sedikit lebih rendah dari nilai idealnya.
PEMBUATAN SEL SURYA DSSC BERBASIS DYE EOSIN Y MENGGUNAKAN SEMIKONDUKTOR TiO2 Siregar, Arifin; Rusdiana, Dadi; Tayubi, Yuyu R.
Jurnal Pengajaran MIPA Vol 4, No 1 (2003): JPMIPA: Volume 4, Issue 1, 2003
Publisher : Faculty of Mathematics and Science Education, Universitas Pendidikan Indonesia

Show Abstract | Download Original | Original Source | Check in Google Scholar | DOI: 10.18269/jpmipa.v4i1.35621

Abstract

Pengembangan bahan polimer elektronik untuk aplikasi sel surya terus dilakukan meskipun memiliki efisiensi konversi tidak sebaik sel surya dari bahan silikon. Keuntungan utama dari produksi devais berbahan dasar polimer organik adalah memiliki biaya produksi yang rendah.Pada penelitian ini telah dibuat sel surya TiO2 nanokristal dengan menggunakan dye dari bahan eosin Y dengan metode sol gel spin coating. Kemampuan sel surya tersebut telah diuji dengan menganalisis karakteristik arus tegangan di bawah pengaruh penyinaran dengan intensitas 4,45808 x 10-4 watt/cm2. Hasil karakterisasi menunjukkan bahwa sel surya dengan luas area 0,6 cm2 memiliki effsiensi 0,0177 %, Isc 1,08 x 10-3 mA/cm2 dan Voc 71 mV untuk waktu dipping 20 menit.