Garuda - Garba Rujukan Digital

Pengaruh Ketebalan Lapisan Aktif terhadap Karakteristik Sel Surya Berbasis a-Si:H yang Ditumbuhkan dengan Teknik HWC-VHF-PECVD Ida Usman; Toto Winata
Jurnal Matematika & Sains Vol 13, No 4 (2008)
Publisher : Institut Teknologi Bandung

Show Abstract | Download Original | Original Source | Check in Google Scholar

The HWC-VHF-PECVD (Hot Wire Cell Very High Frequency Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition) technique has been developed for silicon thin film deposition. The developed technique was also used to fabricate the hydrogenated amorphous silicon (a-Si:H) based p-i-n solar cells with varied active layer (i-layer) thickness. Based on the measurement result of current-voltage (I-V) characteristic of resulted solar cells, it is known that the conversion efficiencies are influenced by the i-layer thickness of each solar cell. In this research, the highest conversion efficiency of 9,39 % was achieved from solar cell with i-layer of 5500 Ã thickness. All of solar cell parameters decrease as the ilayer thickness increases to 6000 Ã, which were probably affected by the serial resistance increases that marked by the degradation of fill factor value.

Optimasi Tekanan Deposisi dalam Simulasi Efisiensi Sel Surya Berbasis Material a-Si:H Purwandari, Endhah; Winata, Toto
GRADIEN : Jurnal Ilmiah MIPA Vol 8, No 1 (2012): (Januari 2012)
Publisher : Universitas Bengkulu

Show Abstract | Download Original | Original Source | Check in Google Scholar | Full PDF (3491.193 KB)

Perhitungan efisiensi konversi sel surya tipe persambungan p-i-n dengan berbasis material a-Si:H dilakukan berdasarkan simulasi perhitungan karakteristik I-V dari material. Dalam bentuk 1 dimensi, Persamaan Poisson dan Persamaan Kontinyuitas diselesaikan dengan menggunakanÂ Femlab Simulation. Data empirik optical band gap Eg pada variasi tekanan deposisi 0-500 mTorr,Â yang diperoleh dalam penumbuhan a-Si;H menggunakan teknik HWC-VHF-PECVD, menjadi input kegiatan optimasi. Hasil simulasi menunjukkan terjadinya penurunan efisiensi dengan adanya kenaikan Eg. Efisiensi sel surya tertinggi sebesar 9,88% diperoleh pada tekanan deposisi a-Si:H sebesar 500 mTorr. Perhitungan efisiensi konversi sel surya tipe persambungan p-i-n dengan berbasis material a-Si:H dilakukan berdasarkan simulasi perhitungan karakteristik I-V dari material. Dalam bentuk 1 dimensi, Persamaan Poisson dan Persamaan Kontinyuitas diselesaikan dengan menggunakanÂ Femlab Simulation. Data empirik optical band gap Eg pada variasi tekanan deposisi 0-500 mTorr,Â yang diperoleh dalam penumbuhan a-Si;H menggunakan teknik HWC-VHF-PECVD, menjadi input kegiatan optimasi. Hasil simulasi menunjukkan terjadinya penurunan efisiensi dengan adanya kenaikan Eg. Efisiensi sel surya tertinggi sebesar 9,88% diperoleh pada tekanan deposisi a-Si:H sebesar 500 mTorr.Â Â Â

Preliminary Study on Nickel Nanoparticle growth by Sputtering Method Lubis, Patricia; Latununuwe, Altje; Winata, Toto
Jurnal Dosen Universitas PGRI Palembang PROSIDING DOSEN UNIVERSITAS PGRI PALEMBANG EDISI 14
Publisher : Jurnal Dosen Universitas PGRI Palembang

Show Abstract | Download Original | Original Source | Check in Google Scholar | Full PDF (554.143 KB)

AbstractNickel nanopartickel has been grown on Si (100) substrate by the sputtering method. The growth parameters were 4 x 10-1 Torr pressure, 1500C temperature, 77,3 sccm Argon gas flow and 90, 30,10, 5, 1 minutes deposition time. The as deposited nickel nanoparticles were annealed for 30 minutes and 4 hours. The Nickel nanoparticles were then characterized using Scanning Electron Microscopy (SEM) and Energy Dispersive Analysis X-Ray (EDAX). The smallest size of Nickel nanoparticles found is about 50 nm.Keywords: nanoparticle, sputtering, anneal.

Characterization Ni Nanocatalyst on Si (100) Substrate By Sputtering Growth Methods Lubis, Patricia; Latununuwe, Altje; Winata, Toto
Jurnal Dosen Universitas PGRI Palembang PROSIDING DOSEN UNIVERSITAS PGRI PALEMBANG EDISI 14
Publisher : Jurnal Dosen Universitas PGRI Palembang

Show Abstract | Download Original | Original Source | Check in Google Scholar | Full PDF (894.894 KB)

AbstractCharacterization Ni metal nanocatalyst had been analyzed on Si (100) substrate with Sputtering Growth Methods. The sputtering conditions used were 4x10-1 torr in pressure; 1500C in temperature; 77.3 sccm in Ar gas flow; and 90,30,20 minutes in time depositions. After growth deposition, metal nanocatalysts were annealed in temperature 6000C for 30 minutes. Characterizations of Ni metal nanocatalysts were used Scanning Electron Microscopy (SEM) and Energy Dispersive Analysis X-Ray (EDAX) and we found the tendency of smallest structure with decrease of time deposition.Keywords: nanocatalyst, sputtering, anneal.

Studi Ab Initio dengan Metode GGA dan GGA + U Terpolarisasi Spin Untuk Mengkaji Sifat Elektronik dan Magnetik Kristal TiO2 pada Fasa Rutile, Anatase, dan Brookite Muhammady, Shibghatullah; Setiawan, Freddy Giovanni; Sutjahja, Inge Magdalena; Winata, Toto; Darma, Yudi
Jurnal Matematika dan Sains Vol 19 No 3 (2014)
Publisher : Institut Teknologi Bandung

Show Abstract | Download Original | Original Source | Check in Google Scholar

Kalkulasi ab initio berbasis generalized gradient approximation (GGA) dan GGA + U (U = koreksi Hubbard) terpolarisasi spin telah dilakukan untuk mempelajari sifat elektronik dan magnetik kristal TiO2 pada fasa rutile, anatase, dan brookite. Hasil perhitungan menunjukkan bahwa ketiga polimorf TiO2 memiliki sifat semikonduktor dan non-feromagnetik. Koreksi Hubbard-U berhasil memperbaiki nilai celah energi dan energi ikat orbital pada struktur anatase dan brookite. Di sisi lain, koreksi U hanya berhasil memperbaiki nilai celah energi pada struktur rutile. Rapat keadaan elektronik dari ketiga polimorf tersebut menunjukkan adanya hibridisasi orbital Ti3d and O2p, sedangkan orbital O2s terlokalisasi jauh di bawah tingkat energi Fermi. Hasil perhitungan ini dapat digunakan sebagai acuan untuk melihat perubahan / efek penambahan impuritas pada sifat elektronik dan magnetik TiO2. Kata kunci: TiO2, Rutile, Anatase, Brookite, Hibridisasi orbital, Kalkulasi ab initio, Generalized gradient approximation, Koreksi Hubbard, Terpolarisasi spin. Ab Initio Study of Electronic and Magnetic Properties of TiO2 Crystal in Rutile, Anatase and Brookite Phase using Spin-polarized GGA and GGA+U Method AbstractSpin-polarized generalized gradient approximation (GGA) and GGA + U-based (U = Hubbard correction) ab initio calculations has been used to investigate electronic and magnetic properties of TiO2 on rutile, anatase, and brookite phases. Calculation results showed that the three TiO2 polymorphs have semiconductor and non-ferromagnetic properties. Hubbard-U correction refine the energy gap and orbital bonding energy values on anatase and brookite structures. Otherwise, U correction just refine the energy gap but not refine orbital bonding energy on rutile structure. Electronic density of states of the three polymorphs show the hybridization of Ti3d and O2p orbitals, while O2s orbital is localized far below the Fermi energi level. These calculations are able to be use as references to define the effect of impurities to the properties of TiO2. Keywords: TiO2, Rutile, Anatase, Brookite, Orbital hybridization, Ab initio calculations, Generalized gradient approximation, Hubbard correction, Spin-polarized.

Penumbuhan Silikon Nanowire dengan Nanokatalis Perak menggunakan Metode HWC-In Plasma-VHF-PECVD melalui Optimasi Tekanan Diky Anggoro; Toto Winata
Jurnal Fisika dan Aplikasinya Vol 10, No 2 (2014)
Publisher : Lembaga Penelitian dan Pengabdian Kepada Masyarakat, LPPM-ITS

Penelitian mengenai penumbuhan silikon nanowire (SiNW) telah dilakukan dengan mengunakan metode Plasma Enhanced Chemical Vapour Deposition (PECVD). Katalis yang digunakan yaitu logam perak (Ag). Penggunaan nano katalis perak dalam penelitian ini dibatasi seberat 0,025 gram. Nanokatalis perak tersebut dideposisi pada substrat gelas dengan cara evaporasi dalam keadaan vakum untuk membentuk lapisan tipisAg pada substrat. Hasil penumbuhan nanokatalis dilakukan karakterisasi SEM dan EDX dengan hasil logam perak yang di-annealing selama satu jam menghasilkan pulau-pulau Ag berukuran dominan 70-80 nm. Ag yang di-annealing selama satu jam kemudian digunakan untuk penumbuhan silikon nanowire. Sebagai gas carier digunakan gas silant SiH4 dengan precursor silikon dengan kecepatan alir 70 sccm dan daya rf 8 watt. Variasi optimasi dilakukan pada parameter tekanan 100, 200, 300 dan 400 mTorr. SEM dan EDX dilakukan untukmengkarakterisasi silikon nanowire. Dari hasil SEMdan EDX, tekanan deposisi 100 mTorr dapat menghasilkan silikon nanowire dengan rasio penumbuhan yang tinggi. Diameter silikon nanowire diperoleh 70-120 nm dan panjang silikon nanowire 200-5000 nm.

Preliminary Study on Nickel Nanoparticle growth by Sputtering Method Patricia Lubis; Altje Latununuwe; Toto Winata
Jurnal Dosen Universitas PGRI Palembang PROSIDING DOSEN UNIVERSITAS PGRI PALEMBANG EDISI 14
Publisher : Jurnal Dosen Universitas PGRI Palembang

Show Abstract | Download Original | Original Source | Check in Google Scholar

AbstractNickel nanopartickel has been grown on Si (100) substrate by the sputtering method. The growth parameters were 4 x 10-1 Torr pressure, 1500C temperature, 77,3 sccm Argon gas flow and 90, 30,10, 5, 1 minutes deposition time. The as deposited nickel nanoparticles were annealed for 30 minutes and 4 hours. The Nickel nanoparticles were then characterized using Scanning Electron Microscopy (SEM) and Energy Dispersive Analysis X-Ray (EDAX). The smallest size of Nickel nanoparticles found is about 50 nm.Keywords: nanoparticle, sputtering, anneal.

Characterization Ni Nanocatalyst on Si (100) Substrate By Sputtering Growth Methods Patricia Lubis; Altje Latununuwe; Toto Winata
Jurnal Dosen Universitas PGRI Palembang PROSIDING DOSEN UNIVERSITAS PGRI PALEMBANG EDISI 14
Publisher : Jurnal Dosen Universitas PGRI Palembang

Show Abstract | Download Original | Original Source | Check in Google Scholar

AbstractCharacterization Ni metal nanocatalyst had been analyzed on Si (100) substrate with Sputtering Growth Methods. The sputtering conditions used were 4x10-1 torr in pressure; 1500C in temperature; 77.3 sccm in Ar gas flow; and 90,30,20 minutes in time depositions. After growth deposition, metal nanocatalysts were annealed in temperature 6000C for 30 minutes. Characterizations of Ni metal nanocatalysts were used Scanning Electron Microscopy (SEM) and Energy Dispersive Analysis X-Ray (EDAX) and we found the tendency of smallest structure with decrease of time deposition.Keywords: nanocatalyst, sputtering, anneal.

Efficiency Calculation Analysis of A-Si:H Solar Cells for Determination of Optimum Filament Temperature in Material Deposition Endhah Purwandari; Toto Winata
Jurnal ILMU DASAR Vol 14 No 1 (2013)
Publisher : Fakultas Matematika dan Ilmu Pengetahuan Alam Universitas Jember

Solar cell efficiency as a function of the energy gap has been simulated by calculating the output current characteristics of the devices based on the distribution of charge carriers, obtained from the solution of the Poisson equation and the Continuity equation. The hydrogenated amorphous silicon (a-Si:H) based solar cell, has simulated in the form of one-dimensional single junction p/i/n. The junction structure of a-SiC:H/a-Si:H/a-Si:H designed have the thickness of 0,015 μm/0,550 μm/0,030 μm, respectively. For simulation, the energy gap has considered constant in the p and n layers, whereas the i layer varies according to the empirical data of energy gap obtained from the deposition parameters of filament temperature. Simulations performed using the finite element method supported by FEMLAB software. Based on simulation results, obtained the highest efficiency of 9.35% corresponds to the lowest energy gap data of 1.706 eV for layer i. This appropriates to the filament temperature of 800oC and subsequently used as the optimum deposition parameters of the material. Keyword: Energy gap, efficiency, FEM, solar cell, hydrogenated amorphous silicon

Investigasi Pengaruh Daya RF terhadap Morfologi Silicon Nanowire pada Penumbuhan dengan Metode PECVD Aulia Fikri Hidayat; Toto Winata
Jurnal Fisika Vol 9, No 1 (2019)
Publisher : Universitas Negeri Semarang

Show Abstract | Download Original | Original Source | Check in Google Scholar | DOI: 10.15294/jf.v9i1.18811

Silicon nanowire (SiNW) merupakan material berstruktur nano yang pemanfaatannya cukup luas, diantaranya yaitu sebagai material divais elektronik, sebagai material biosensor, dan sebagai sistem pembawa obat. Penumbuhan SiNW salah satunya dapat dilakukan dengan metode PECVD (plasma-enhanced chemical vapor deposition). Nikel digunakan sebagai katalis dalam penumbuhan SiNW pada penelitian ini. Lapisan tipis nikel diberi perlakuan annealing pada suhu 600Â°C selama 6 jam untuk memperoleh butiran nikel sebagai pemandu tumbuhnya nanowire. Penumbuhan SiNW dilakukan dengan metode PECVD dengan memvariasikan daya frekuensi radio (RF) reaktor sebesar 8 watt, 10 watt, dan 20 watt. Diameter rata-rata untuk daya 8 watt, 10 watt, dan 20 watt berturut-turut adalah 1143,17 nm; 1490,27 nm; dan 2605,26 nm. Morfologi permukaan dilihat dengan pencitraan scanning electron microscope (SEM). Rasio aspek wire dengan daya RF penumbuhan 8 watt, 10 watt, dan 20 watt diinvestigasi dengan pencitraan SEM penampang lintang dengan hasil berturut-turut sebesar 23,3; 3,13; dan 0,33.

Title

Found 21 Documents
Search

Abstract

Abstract

Abstract

Abstract

Abstract

Abstract

Abstract

Abstract

Abstract

Abstract

Title Search

Found 21 Documents Search

Abstract

Abstract

Abstract

Abstract

Abstract

Abstract

Abstract

Abstract

Abstract

Abstract

Title

Found 21 Documents
Search