<![CDATA[Telah dilakukan studi pengaruh temperature annealing terhadap penumbuhan kristal PZT di atas substrat Silikon (Si). Proses pembuatan larutan prekursor PZT dilakukan dengan metode sol gel dan penumbuhan lapisan tipis PZT dengan metode spin coating. Struktur kristal lapisan tipis PZT tanpa annealing dan annealing selama dua jam pada temperatur 500 oC diobservasi menggunakan XRD (X Ray Diffraction). Dari hasil uji XRD menunjukkan bahwa lapisan tipis PZT tanpa annealing (as deposited) belum terbentuk kristal, tetapi pada lapisan tipis PZT yang di annealing pada temperatur 500 oC terbentuk kristal PZT dengan orientasi (102) dan (112). Hal ini menunjukkan bahwa annealing berpengaruh terhadap struktur kristal yang terbentuk, karena kristal PZT belum terbentuk sebelum dilakukan annealing pada lapisan tipis PZT.]]>
Copyrights © 2013
