<![CDATA[AbstrakTelah dibuat film Ba0.55Sr0.45TiO3 di atas substrat Si (111) tipe-n dengan metode CSD dan spin coating berkecepatan putar 3000 rpm selama 30 detik dalam kelarutan sebesar 1 M. Film BST didadah La2O3 dengan variasi 0%, 1%, 3%, 5% serta di annealing pada suhu 850 oC selama 15 jam dengan laju kenaikan 1.67 oC/menit. Karakterisasi struktur film berupa pengujian XRD. Hasil yang diperoleh memperlihatkan intensitas difraksi tertinggi dimiliki oleh film dengan variasi pendadahan 5% sedangkan intensitas difraksi terendah dimiliki oleh film dengan variasi pendadahan 0%. Pendadahan meningkatkan intensitas difraksi sinar-X pada film. Analisis struktur kristal BST menggunakan metode XRD menunjukkan bahwa struktur kristal BST berbentuk tetragonal. Hasil uji sifat listrik menunjukkan karakteristik film BST termasuk material semikonduktor.Kata kunci: BST, sifat listrik, struktur kristal, annealing, La2O3 AbstractBa0.55Sr0.45TiO3 (BST) thin film, was doped by lantanum oxide (La2O3), has been made with doping variations  0%, 1%, 3%, and 5% above substrat Si (111) n-type by using chemical solution deposition methods by spin coating technique at 3000 rpm for 30 seconds in 1 M concentration and 850 oC annealing temperature at 15 hour with rate 1.7 oC/minute. Structure characterization was using XRD. Result of XRD showed 5% doping has highest diffraction intensity and 0% is the lowest. Diffraction intensity increased by doping on film. Crystal structure analysis showed BST and BFST are tetragonal. Electrical properties showed that BST and BSLT thin film are semiconductor material.Key words : BST, electrical properties, crystal structure, annealing, La2O3]]>
Copyrights © 2015
