Article Per Year (5 Year)
p-Index From 2019 - 2024
0.925
P-Index
This Author published in this journals
All Journal Jurnal Sains Materi Indonesia Perfecting a Video Game with Game Metrics Physics Student Journal The Journal of Pure and Applied Chemistry Research Jurnal Fisika FLUX JEECAE (Journal of Electrical, Electronics, Control, and Automotive Engineering)
Mauludi Ariesto Pamungkas
Jurusan Fisika, FMIPA - Universitas Brawijaya
Automotive Engineering Chemical Engineering, Chemistry & Bioengineering Chemistry Computer Science & IT Earth & Planetary Sciences Education Electrical & Electronics Engineering Materials Science & Nanotechnology Mechanical Engineering Medicine & Pharmacology Physics

Published : 9 Documents Claim Missing Document
Claim Missing Document
Check
Articles

Found 9 Documents
Search

 1 
ACCURATE HIJRI CALCULATOR 2.2 SEBAGAI PIRANTI HISAB PENENTUAN AWAL BULAN HIJRIAH BERDASARKAN KRITERIA VISIBILITAS HILAL NASIONAL DAN INTERNASIONAL Abdurrouf, - -; Pamungkas, Mauludi Ariesto
Physics Student Journal Vol 1, No 1 (2013)
Publisher : Department of Physics - Faculty of Science

Show Abstract | Download Original | Original Source | Check in Google Scholar

Abstract

Perhitungan dan observasi untuk penentuan awal bulan Hijriah dalam penanggalan Islam adalah permasalahan krusial yang dihadapi oleh umat Islam setiap tahun. Dalam penelitian ini, telah dikembangkan software yang dinamakan Accurate Hijri Calculator 2.2 (AHC) sebagai alat bantu dalam perhitungan penentuan awal bulan Hijriah. Metode pelaksanaan dalam penelitian ini terdiri dari pembuatan software, pengumpulan data hisab dan rukyat, metode wawancara, dan verifikasi hasil perhitungan software dengan data hisab dan rukyat. Data-data hisab dikumpulkan dari hasil perhitungan software USNO dan Accurate Time 5.3.4  sedangkan data rukyat dikumpulkan dari Kementerian Agama RI dan Moonsighting Committee Worlwide (moonsighting.com). Metode verifikasi dilakukan dengan membandingkan beberapa hasil perhitungan software AHC dengan data hisab dan membandingkan hasil perhitungan prediksi kenampakan hilal dengan data rukyat. Software AHC mempunyai banyak aplikasi diantaranya: dapat menghitung koordinat bulan dan matahari, mengkonversi penanggalan Masehi (Gregorian) ke dalam penanggalan Hijriah, memprediksi kenampakan hilal untuk lokasi-lokasi di seluruh dunia dalam bentuk peta visibilitas hilal, dan menghitung semua parameter dalam penentuan awal bulan Muharram, Ramadhan, Syawwal, dan Dzulhijjah. Software ini mengakomodir berbagai kriteria penanggalan hijriah yang digunakan di Indonesia maupun Internasional. Dari hasil verifikasi didapatkan bahwa perhitungan software AHC cukup akurat.
Menentukan Parameter Model Cauchy untuk A (1,587) Konstan Bahan Polistirena Maulidiyah, Dzarril; Satjojo, D.J. Djoko Hari; Pamungkas, Mauludi Ariesto; -, Ubaidillah
Physics Student Journal Vol 2, No 1 (2014)
Publisher : Department of Physics - Faculty of Science

Show Abstract | Download Original | Original Source | Check in Google Scholar

Abstract

Dalam  jurnal  ini  akan  dilaporkan  mengenai  hasil  karakterisasi  optik  lapisan  tipis  polistirena  dengan  metode Ellipsometri.  Berdasarkan  model  Dispersi  Cauchy  yang  digunakan  sebagai  model  untuk  menunjukkan  hubungan dispersi normal bahan transparan seperti Polistirena.  Metode komputasi yang dibangun pada penelitian ini parameter Cauchy  maupun  ketebalan  d  dari  bahan  Polistirena  dapat  diprediksi,  dengan  A  konstan  sebesar  1,587  untuk  bahan Polistirena dengan Pelarut Toluena B = 45560,60366; C =  -68,850229; d = 5,743782 dan error =  0,10828. Sedangkan untuk pelarut Xilena B = 19,155923; C =  -56,078811; d = 0,1 x 10-5-dan error 2,2916.  Hasil  dengan pelarut berbedasaat A konstan menunjukkan perbedaan indeks bias dan ketebalan yang juga mempengaruhi keadaan polarisasi cahaya.
Studi Sifat Elektronik Silicene dengan Pendekatan Teori Kerapatan Fungsional Maftuhin, Wafa; Pamungkas, Mauludi Ariesto
Physics Student Journal Vol 2, No 1 (2014)
Publisher : Department of Physics - Faculty of Science

Show Abstract | Download Original | Original Source | Check in Google Scholar

Abstract

Sifat elektronik dari Silikon dua dimensi berbentuk heksagonal yang disebut silicene telah diteliti dengan pendekatan teori kerapatan fungsional. Silicene diprediksi memiliki nilai konstanta kisi (lattice constant) sebesar 3,9 Angstrom, nilai ini mendekati hasil dari eksperimen. Silicene diprediksi memiliki sifat elektronik yang mirip dengan graphene. Pita energi silicene diprediksi tidak memiliki celah energi dan tidak saling tumpang tindih, banyaknya keadaan yang dominan adalah pada orbital p dan struktur membentuk ikatan kovalen.
Simulasi Pengaruh Variasi Kecepatan Aliran Laminar Elektrolit Terhadap Performa Soluble Lead-Acid Redox Flow Battery (SLFB) Syaharani, Nikita; ghufron, muhammad; Kumara, Satria Pamungkas Panji; Hidayah, Irfan Fajar; Hadila, Silvi; Felindia, Ervinka; Pamungkas, Mauludi Ariesto; Pranata, Kurriawan Budi
JEECAE (Journal of Electrical, Electronics, Control, and Automotive Engineering) Vol 6, No 1 (2021): JOURNAL OF ELECTRICAL, ELECTRONICS, CONTROL, AND AUTOMOTIVE ENGINEERING (JEECAE)
Publisher : Politeknik Negeri Madiun

Show Abstract | Download Original | Original Source | Check in Google Scholar | DOI: 10.32486/jeecae.v6i1.803

Abstract

Pemenuhan pasokan energi listrik baru terbarukan membutuhkan media penyimpanan energi dalam skala besar. Soluble Leas Acid Flow battery (SLFB) merupakan salah satu jenis baterai sekunder yang memnuhi kriteria tersebut. Simulasi sel tunggal SLFB model 2D dengan memvariasikan kelajuan aliran laminar elektrolit sebesar 0,025 m/s (SLFB1), 0,075 m/s (SLFB2), 0,1 m/s (SLFB3), dan 0,2 m/s (SLFB4) menggunakan software COMSOL Multyphysics 5.1 telah berhasil dilakukan. Pada simulasi ini digunakan densitas arus tetap 300 A/m2 selama pengisian 4 jam dan pengosongan 4 jam dengan istirahat selama 1 menit. Hasil simulasi ini menunjukkan bahwa peningkatan kecepatan aliran laminar elektrolit pada SLFB mampu menurunkan nilai tegangan pengisian (charge) dan meningkatkan nilai tegangan pengosongan (discharge). Kecepatan aliran laminar elektrolit pada SLFB tidak berpengaruh terhadap nilai konsentrasi PbO2 dan PbO pada permukaan elektroda positif selama pengisian-pengosongan baterai. Dengan menaikkan kelajuan aliran laminar elektrolit SLFB dapat meningkatkan nilai efisiensi energinya pada range 72,8% - 73,3%. SLFB4 merupakan baterai dengan performa terbaik berdasarkan performa tegangan dan efisiensinya.
Experimental study of capacity and electrode structure of six cell dynamic lead acid battery Kurriawan Budi Pranata; Yuni Triasari; Nur Khairati; Istiroyah Istiroyah; Mauludi Ariesto Pamungkas; Muhammad Ghufron
TELKOMNIKA (Telecommunication Computing Electronics and Control) Vol 19, No 4: August 2021
Publisher : Universitas Ahmad Dahlan

Show Abstract | Download Original | Original Source | Check in Google Scholar | DOI: 10.12928/telkomnika.v19i4.17845

Abstract

The six cells of the dynamic lead acid battery (DLAB) series have been made to resemble the accumulator with sulfuric acid single electrolyte. The tank was filled with 1200 mL of 30% sulfuric acid and circulated through each unit cell by a minipump during charge-discharge process. Experiments were carried out by providing a charging current of 2A, while the discharge current was varied at 0.5 A, 0.6 A, 0.7 A, 0.8 A for 10 continuous cycle to obtain the battery with the best characteristics. The experimental results show that all batteries have a working voltage of 10.8-14.4 volt. The discharging current is inversely proportional to the discharging duration. The resulting capacity has an efficiency ranging from 80.1-81.1%. DLAB with 0.5 A discharging current shows the best performance based on the length of duration and the average capacity with value of 109.61 h and 6168 mAh while for the ideal performance stability is obtained by DLAB with 0.7 A discharging current. The electrochemical reaction produces angelsite and plattnerite phases on the positive electrode. Meanwhile, angelsite and lead phases are formed on the negative electrode.
EFEK DOPING ATOM ARSENIK PADA PITA ENERGI MATERIAL SILICENE BERDASARKAN PERHITUNGAN TEORI KERAPATAN FUNGSIONAL Mauludi Ariesto Pamungkas; Wafa Maftuhin
Jurnal Sains Materi Indonesia Vol 16, No 4: JULI 2015
Publisher : Center for Science & Technology of Advanced Materials - National Nuclear Energy Agency

Show Abstract | Download Original | Original Source | Check in Google Scholar | Full PDF (819.953 KB) | DOI: 10.17146/jsmi.2015.16.4.4221

Abstract

 EFEK DOPING ATOM ARSENIK PADA PITA ENERGI MATERIAL SILICENE BERDASARKAN PERHITUNGAN TEORI KERAPATAN FUNGSIONAL. Menyusul sukses graphene dengan sifat-sifatnya yang super dan unik, material dua dimensi yang strukturnya serupa dengan graphene menjadi pusat perhatian para peneliti material. Silicene sebagai material yang memiliki struktur kristal sama dengan graphene namun terdiri dari atom-atom silicon menjadi material yang sangat penting mengingat dominasi silicon sebagai bahan utama komponen elekronika. Struktur pita dari silicene murni dan yang di doping dengan atom As diteliti dengan metode teori kerapatan fungsional (Density Functional Theory). Atom As disimulasikan pada beberapa posisi yang paling mungkin. Berdasarkan perhitungan energi pembentukan, posisi substitusi adalah posisi yang paling stabil dari atomAs pada silicene. Posisi atom As tepat di atas atom silkon jauh lebih stabil dari posisi di atas hexagonal (posisi hollow). Hasil perhitungan struktur pita menunjukkan bahwa silicene murni adalah semimetal sedangkan setelah di-doping dengan atom As berubah menjadi konduktor. Hasil ini berbeda dengan penambahan atom As pada graphene, di mana justru membuka band gap nya.
SIMULASI DINAMIKA MOLEKULAR REAKTIF PROSES AMORFISASI SILIKON KRISTAL Mauludi Ariesto Pamungkas; Rendra Widiyatmoko
Jurnal Sains Materi Indonesia Vol 18, No 3: APRIL 2017
Publisher : Center for Science & Technology of Advanced Materials - National Nuclear Energy Agency

Show Abstract | Download Original | Original Source | Check in Google Scholar | DOI: 10.17146/jsmi.2017.18.3.4120

Abstract

Silikon kristal dan silicon amorf adalah material utama yang digunakan untuk bahan solar sel. Silikon amorf lebih mudah dibuat dan lebih murah dibandingkan silikon kristal namun efisiensi silikon amorf masih lebih rendah dibanding silikon kristal. Untuk meningkatkan sifat listrik dari silikon amorf diperlukan pengetahuan strukturmikro silikon amorf yang terbentuk dari amorfisasi silikon kristal. Oleh karena itu dilakukan simulasi dinamika molekuler untuk meneliti proses amorfisasi silikon kristal. Proses amorfisasi dilakukan dengan cara yang menyerupai proses dalam eksperimen, yaitu pemanasan sampai silikon kristal mencair kemudian dilanjutkan dengan pendinginan yang cepat sehingga tidak cukup waktu untuk atom-atomnya membentuk struktur yang teratur. Setelah beberapa suhu dan kecepatan pendinginan dicoba, didapati bahwa dengan pemanasan sampai 3500 K dan dengan laju pendinginan 1014K/s silikon amorf terbentuk. Pada suhu yang terlalu tinggi, sistem menjadi rusak, sedangkan pada suhu yang terlalu rendah tidak terjadi perubahan fase. Proses amorfisasi disertai dengan meningkatnya panjang rata-rata ikatan dari ikatan 4-4 fold, 4-5 fold, dan 5-5 fold secara berurutan. Selain itu, didapati bahwa ikatan 5-fold memberikan kontribusi paling besar dalam membentuk puncak sudut 60o.
Simulasi Pengaruh Ketebalan Elektroda Terhadap Potensial Elektrolit dan Molaritas Spesies Vanadium Redox Flow Battery (VRFB) Satria Pamungkas Panji Kumara; Irvan Fajar Hidayah; Silvi Hadila; Ervinka Felindia; Nikita Syaharani; Mauludi Ariesto Pamungkas; Kurriawan Budi Pranata; Alamsyah Mohammad Juwono; Muhammad Ghufron
Jurnal Fisika Flux: Jurnal Ilmiah Fisika FMIPA Universitas Lambung Mangkurat Vol 19, No 1 (2022): Jurnal Fisika Flux: Jurnal Ilmiah Fisika FMIPA Universitas Lambung Mangkurat
Publisher : Lambung Mangkurat University Press

Show Abstract | Download Original | Original Source | Check in Google Scholar | Full PDF (1078.552 KB) | DOI: 10.20527/flux.v19i1.11403

Abstract

Vanadium Redox Flow Battery (VRFB) is a relative new type of secondary battery that has ability as Energy Storage System (ESS) for renewable energy power plants such as solar cell. 2D VRFB single cell was modeled using COMSOL Multiphysics software and simulated numerically by using Nernst-Planck, secondary current distribution, tertiary current distribution and Buttler-Volmer principle. Simulation was conducted at 293,15 K, with electrode thickness variations of 1 mm (L1), 2 mm (L2), 3 mm (L3), 4 mm (L4) and 5 mm (L5). According to the simulation results, it is known that electrolyte potential in negative electrode is higher than positive electrode and the distribution is tend to decrease for all variations.  Surface concentration near collector is dominant during charging compare inlet position and the reverse phenomenon occur during discharging process. VRFB L1 show weak performance and VRFB L2 show the best performance in term of electrolyte potential and species molarity in the electrode surface.
Nitrogenation of Amorphous Silicon : Reactive Molecular Dynamics Simulations Mauludi Ariesto Pamungkas; Choirun Nisa; Istiroyah Istiroyah; Abdurrouf Abdurrouf
The Journal of Pure and Applied Chemistry Research Vol 8, No 3 (2019): Edition September-December 2019
Publisher : Chemistry Department, The University of Brawijaya

Show Abstract | Download Original | Original Source | Check in Google Scholar | DOI: 10.21776/ub.jpacr.2019.008.03.487

Abstract

Since silicon nitride (SiNx) film is more stable than SiO2, silicon nitride, thus it is widely used in semiconductor industry as an insulatorlayer. The study of nitrogenation process of a-Si was performed using molecular dynamics simulations to determine the properties of the bonds created in the structure of a-SiNx. Reactive force field (Reaxff) was used as potential in this molecular dynamic simulation owing to its ability to describe charge transfer as well as breaking and formation of atomic bonds. The structure of a-Si is obtained by melting the crystalline silicon at temperature of 3500 K followed by quenching to room temperature. The nitrogenation process was carried out by randomly distributing 900 N atoms over the a-Si surface for 60 ps at temperature varied from 300 K, 600 K, 900 K, and 1200 K. The higher the temperature nitrogenation applied in the system, the more number of N atoms adsorbed, resulting in a deeper penetration depth of Nitrogen atom. Amorphization and nitrogenation changed the distribution of coordination number of Ni, Si, and O atoms. Transfer of electrons from silicon to nitrogen occurs only in the nearest nitrogen atom with silicon atom.
Co-Authors - - Abdurrouf Abdurrouf Abdurrouf Alamsyah M. Juwono Choirun Nisa D.J. Djoko Hari Satjojo Dzarril Maulidiyah Ervinka Felindia Felindia, Ervinka Hadila, Silvi Hidayah, Irfan Fajar Irvan Fajar Hidayah Istiroyah Istiroyah Istiroyah Istiroyah Kumara, Satria Pamungkas Panji Kurriawan Budi Pranata Kurriawan Budi Pranata Kurriawan Budi Pranata, Kurriawan Budi Muhammad Ghufron Muhammad Ghufron Muhammad Ghufron Nikita Syaharani Nur Khairati Rendra Widiyatmoko Satria Pamungkas Panji Kumara Silvi Hadila Syaharani, Nikita Ubaidillah - Wafa Maftuhin Wafa Maftuhin, Wafa Yuni Triasari