<![CDATA[Abstrak __________________________________________________________________________________________ Tujuan penelitian ini adalah pembuatan dan karakterisasi pada OFET (Organic Field Effect Transistor) berbasis film tipis dengan struktur bottom-contact. Pembuatan OFET dilakukan dengan cara pencucian substrat dengan etanol dalam ultrasonic cleaner, kemudian dilakukan deposisi elektroda source dan drain di atas substrat SiO2 dengan metode penguapan hampa udara pada suhu ruang dan teknik lithography. Selanjutnya dilakukan deposisi film tipis CuPc diantara source (S) dan drain (D) sebagai panjang saluran (channel) dan diakhiri dengan deposisi elektrode gate (G). Karakterisai OFET berbasis film tipis dilakukan dengan El-Kahfi 100, untuk menentukan karakteristik keluaran V-I. Hasil karakterisasi OFET dengan panjang channel (L) 100 μm dan lebar (W) 1 mm, mempunyai daerah aktif, yaitu: 2,80 V sampai dengan 3,42. Mobilitas pembawa muatan OFET untuk daerah saturasi, µ = 0,00182278 cm2 /Vs dan untuk daerah linier, µ = 0,000343818 cm2 /Vs  Abstract __________________________________________________________________________________________ The purpose of this research is to produce and characterize the OFET (Organic Field Effect Transistor) based on thin film with bottom-contact structure. The OFET production consists of the substract wash by using ethanol in the ultrasonic cleaner, then electrode deposition of source and drain on the SiO2 substract by using vacuum evaporation in the room temperature and lithography technique. Then, the deposition of thin film of CuPc between source (S) and drain (D) was done as the channel length and ended with electrode gate (G) deposition. The OFET characterization with channel length (L) 100 μm and wide (W) 1 mm obtained the active area of 2,80 - 3,42 v. While the mobility of OFET charge carrier obtained µ = 0,00182278 cm2 /Vs for the saturation area and µ = 0,000343818 cm2 /Vs for linier area.]]>
Copyrights © 2013
