<![CDATA[Perhitungan efisiensi konversi sel surya tipe persambungan p-i-n dengan berbasis material a-Si:H dilakukan berdasarkan simulasi perhitungan karakteristik I-V dari material. Dalam bentuk 1 dimensi, Persamaan Poisson dan Persamaan Kontinyuitas diselesaikan dengan menggunakan Femlab Simulation. Data empirik optical band gap Eg pada variasi tekanan deposisi 0-500 mTorr, yang diperoleh dalam penumbuhan a-Si;H menggunakan teknik HWC-VHF-PECVD, menjadi input kegiatan optimasi. Hasil simulasi menunjukkan terjadinya penurunan efisiensi dengan adanya kenaikan Eg. Efisiensi sel surya tertinggi sebesar 9,88% diperoleh pada tekanan deposisi a-Si:H sebesar 500 mTorr. Perhitungan efisiensi konversi sel surya tipe persambungan p-i-n dengan berbasis material a-Si:H dilakukan berdasarkan simulasi perhitungan karakteristik I-V dari material. Dalam bentuk 1 dimensi, Persamaan Poisson dan Persamaan Kontinyuitas diselesaikan dengan menggunakan Femlab Simulation. Data empirik optical band gap Eg pada variasi tekanan deposisi 0-500 mTorr, yang diperoleh dalam penumbuhan a-Si;H menggunakan teknik HWC-VHF-PECVD, menjadi input kegiatan optimasi. Hasil simulasi menunjukkan terjadinya penurunan efisiensi dengan adanya kenaikan Eg. Efisiensi sel surya tertinggi sebesar 9,88% diperoleh pada tekanan deposisi a-Si:H sebesar 500 mTorr.   ]]>
Copyrights © 2012
