<![CDATA[Dalam studi ini dikaji sifat-sifat struktur double barrier pada divais silikon amorf (a-Si). Struktur double barrier dibangun dengan mengkombinasikan material a-Si:H dengan material a-SiC:H yang memiliki celah energi optik yang berbeda. Material a-Si:H berfungsi sebagai sumur kuantum di antara material a-SiC:H yang berfungsi sebagai barrier. Probabilitas tunneling yang menjadi pokok utama sifat-sifat struktur double barrier dihitung berdasarkan persamaan Schroedinger, pendekatan WKB, dan pendekatan Lorentzian. Probabilitas tunneling mencapai harga 0,12 untuk tegangan luar 10 V, tebal barrier 10 Å dan lebar sumur potensial 10 Å. Selanjutnya, hasil perhitungan probabilitas tunneling diaplikasikan pada salah satu divais a-Si yaitu Thin Film Light Emitting Diode (TFLED), untuk menghitung rapat arus tunneling dan brightness. Didapatkan bahwa semakin tinggi probabilitas tunneling, rapat arus tunneling semakin meningkat dan pada akhirnya dapat meningkatkan harga brightness dari TFLED.]]>
Copyrights © 2001
