Claim Missing Document
Check
Articles

Found 2 Documents
Search

SIFAT MAGNETORESISTANCE BAHAN KOMPOSIT Fe0,2C0,8 SEBELUM DAN SESUDAH IRADIASI SINAR GAMMA PADA DOSIS 250 kGy Yunasfi .; Setyo Purwanto; Wisnu A A
Jurnal Sains dan Teknologi Nuklir Indonesia (Indonesian Journal of Nuclear Science and Technology) Vol 10, No 1 (2009): Februari 2009
Publisher : BATAN

Show Abstract | Download Original | Original Source | Check in Google Scholar | DOI: 10.17146/jstni.2009.10.1.659

Abstract

Telah dilakukan penelitianterhadap sifat magnetoresistance bahan komposit Fe0,2C0,8 sebelum dan sesudah iradiasidengan sinar gamma pada dosis 250 kGy. Bahan komposit Fe0,2C0,8 dibuat dari campuranserbuk Fe dan serbuk C, dengan rasio komposisi 20% berat Fe dan 80% berat C. Padapenelitian ini, diamati perubahan sifat magnetoresistance bahan komposit Fe0,2C0,8 setelahdiiradiasi dengan sinar gamma pada dosis 250 kGy. Pengujian struktur Fe0,2C0,8 dilakukandengan difraktometer sinar-X (XRD) dan karakterisasi sifat magnetoresistance dilakukandengan metode Four Point Probe. Hasil pengujian dengan XRD menunjukkan penurunanintensitas puncak difraksi dari fasa Fe dan C oleh radiasi sinar gamma, sedangkan hasilpengukuran magnetoresistance menunjukkan peningkatan nilai magnetoresistance bahantersebut. Peningkatan nilai ini mencapai 5 kali pada medan magnet 7,5 kOe setelah diiradiasidengan sinar gamma. Hal ini disebabkan oleh adanya cacat struktur yang terbentuk dalambahan komposit Fe0,2C0,8 akibat interaksi sinar gamma dengan bahan komposit tersebut yangmenimbulkan perubahan intensitas interaksi magnetik di dalam bahan ini.
EFEK IMPLANTASI ION Ni+ DAN Ar+ TERHADAP SIFAT MAGNETIK LAPISAN TIPIS C/Si Yunasfi .
Jurnal Sains dan Teknologi Nuklir Indonesia (Indonesian Journal of Nuclear Science and Technology) Vol 15, No 1 (2014): Februari 2014
Publisher : BATAN

Show Abstract | Download Original | Original Source | Check in Google Scholar | DOI: 10.17146/jstni.2014.15.1.1272

Abstract

EFEK IMPLANTASI ION Ni+ DAN Ar+ TERHADAP SIFAT MAGNETIK LAPISAN TIPISC/Si. Telah dilakukan studi efek implan ion Ni+ dan ion Ar+ terhadap sifat magnetik lapisan tipisC/Si (100). Implantasi ion Ni+ dan ion Ar+ terhadap lapisan tipis C/Si dilakukan dengan dosissampai 5 x 1016 ion/cm2. Hasil identifikasi XRD menunjukkan adanya puncak intensitas difraksiC (002) dan Ni (100). Implantasi ion dapat menyebabkan penurunan puncak intensitas difraksiC (002). Puncak intensitas difraksi C (002) semakin menurun seiring dengan bertambahnyadosis ion, sedangkan puncak intensitas difraksi Ni (100) semakin tinggi seiring dengan bertambahnyadosis ion. Hasil ini menunjukkan telah terjadi distribusi atom Ni pada permukaanlapisan tipis C/Si. Hasil pengamatan morfologi permukaan menggunakan SEM/EDS,menunjukkan adanya atom Ni yang tersebar pada permukaan lapisan tipis C/Si. Hasilpengukuran sifat magnetik dengan metode VSM (Vibrating Sample Magnetometer)menunjukkan adanya perubahan sifat magnetik pada lapisan tipis C/Si dengan penambahandosis implan. Sifat magnetik ini meningkat seiring dengan penambahan dosis ion Ni+, yangditunjukkan dengan peningkatan nilai-nilai Ms (saturated magnetization), Mr (remanentmagnetization) dan Hc (coercive field), masing-masing sebesar 28%, 21% dan 42%. Hasilpengukuran sifat GMR dengan Four Point Probe juga menunjukkan peningkatan nilai nisbahMR sekitar 26% pada medan magnet 7,5 kOe seiring dengan peningkatan dosis ion.Kata kunci : lapisan tipis C/Si, implantasi ion, sifat magnetik