This Author published in this journals
All Journal JURNAL FISIKA
Kusumandari Kusumandari
Department of Physics, Faculty of Mathematics and Natural Sciences, Universitas Sebelas Maret

Published : 1 Documents Claim Missing Document
Claim Missing Document
Check
Articles

Found 1 Documents
Search

Pengaruh Variasi Rapat Arus pada Pembentukan Silikon Berpori di atas Permukaan Si (111) Tipe-P dengan Metode Anodisasi Elektrokimia Sehati - Sehati; Siti Wijayanti; Kusumandari Kusumandari; Risa Suryana
Jurnal Fisika Vol 11, No 1 (2021)
Publisher : Universitas Negeri Semarang

Show Abstract | Download Original | Original Source | Check in Google Scholar | DOI: 10.15294/jf.v11i1.28396

Abstract

Silikon berpori (PSi) telah terbentuk di atas substrat Si (111) tipe-p menggunakan metode anodisasi elektrokimia. Permukaan silikon dianodisasi dalam larutan HF (40%) dan Etanol (96%) dengan perbandingan 1:1 pada rapat arus 70 mA/cm2, 80 mA/cm2, dan 90 mA/cm2 selama 6 menit. Plat platina sebagai katoda sedangkan silikon sebagai anoda dengan jarak 5 cm. Reflektansi PSi dikarakterisasi dengan Spektroskopi UV-Vis dan morfologi permukaan PSi dikarakterisasi dengan AFM. Kedalaman, lebar, dan kekasaran PSi meningkat dengan bertambahnya rapat arus. Hasil pengukuran pori menunjukkan nilai lebar pori (μm) lebih besar dari nilai kedalaman pori (nm). Hasil tersebut memperlihatkan bahwa proses etching arah horizontal lebih cepat dari arah vertikal. Pori yang terbentuk pada PSi diklasifikasikan jenis makropori karena lebar porinya berukuran (50nm). Reflektansi PSi menurun dengan meningkatnya rapat arus. Osilasi reflektansi terjadi  pada lapisan PSi karena adanya foton yang dipantulkan dengan sudut yang berbeda karena adanya perbedaan kedalaman pori yang terbentuk. Hasil karakterisasi AFM dan hasil karakterisasi reflektansi menunjukkan permukaan PSi yang terbentuk tidak homogen. Lapisan PSi yang terbentuk memiliki potensi sebagai lapisan anti-reflective.