Article Per Year (5 Year)
p-Index From 2019 - 2024
0
P-Index
This Author published in this journals
All Journal Indonesian Journal of Mathematics and Natural Sciences
R Zannah, R
Jurusan Fisika, FMIPA, Universitas Negeri Semarang, Indonesia
Mathematics

Published : 2 Documents Claim Missing Document
Claim Missing Document
Check
Articles

Found 2 Documents
Search

 1 
PENGARUH TEMPERATUR ANNEALING PADA SIFAT LISTRIK FILM TIPIS ZINC OKSIDA DOPING ALUMINIUM OKSIDA Sugianto, S; Zannah, R; Mahmudah, S N; Astuti, B; D.P, N M; Wibowo, A A; Marwoto, P; Ariyanto, D; Wibowo, E
Jurnal MIPA Vol 39, No 2 (2016): October 2016
Publisher : Jurnal MIPA

Show Abstract | Download Original | Original Source | Check in Google Scholar

Abstract

Penumbuhan film tipis zinc oksida di-doping aluminium oksida dengan variasi temperatur annealing menggunakan metode dc magnetron sputtering telah berhasil dilakukan. Pengaruh variasi temperature annealing pada struktur dan sifat listrik film tipis telah dipelajari dengan menggunakan XRD dan I-V meter. Berdasarkan karakterisasi XRD, film tipis yang dihasilkan memiliki struktur wurtzite dengan orientasi yang dominan adalah (002). Penambahan temperatur annealing pada proses penumbuhan meningkatkan intensitas orientasi (002). Selanjutnya analisis sifat listrik menggunakan I-V meter. Film tipis zinc oksida di-doping Al  pada temperatur annealing 300°C memiliki nilai resitivitas yang optimum yaitu 2,89 x 102  Wcm. Hal tersebut konsisten dengan hasil XRD yang menyatakan bahwa film tipis zinc oksida yang di doping  dengan  aluminium oksida pada temperature 300°C memiliki ukuran kristal yang semakin besar, kompak dan homogen.Growth of zinc oxide doped aluminum oxide thin film with annealing temperature variation using dc magnetron sputtering method has been done. Effect of annealing temperature variations on the structure and electrical properties of thin films has studied using XRD and I-V meter. According to XRD characterization, thin film was obtained has wurtzite structure with dominant orientation is (002). Increasing of annealing temperature on the growth process was increased the intensity of orientation (002). Furthermore, the electrical properties were measured using I-V meter.  Zinc oxide doped Al thin film shows the optimum resistivity around of 2.89 x 102 Wcm when the annealing temperature of 300 °C. This is consistent with XRD results which is the Zinc oxide doped aluminum oxide thin has a crystal size is getting bigger, dense, and homogeneous at annealing temperature 300°C.
PENGARUH TEMPERATUR ANNEALING PADA SIFAT LISTRIK FILM TIPIS ZINC OKSIDA DOPING ALUMINIUM OKSIDA Sugianto, S; Zannah, R; Mahmudah, S N; Astuti, B; D.P, N M; Wibowo, A A; Marwoto, P; Ariyanto, D; Wibowo, E
Indonesian Journal of Mathematics and Natural Sciences Vol 39, No 2 (2016): October 2016
Publisher : Universitas Negeri Semarang

Show Abstract | Download Original | Original Source | Check in Google Scholar

Abstract

Penumbuhan film tipis zinc oksida di-doping aluminium oksida dengan variasi temperatur annealing menggunakan metode dc magnetron sputtering telah berhasil dilakukan. Pengaruh variasi temperature annealing pada struktur dan sifat listrik film tipis telah dipelajari dengan menggunakan XRD dan I-V meter. Berdasarkan karakterisasi XRD, film tipis yang dihasilkan memiliki struktur wurtzite dengan orientasi yang dominan adalah (002). Penambahan temperatur annealing pada proses penumbuhan meningkatkan intensitas orientasi (002). Selanjutnya analisis sifat listrik menggunakan I-V meter. Film tipis zinc oksida di-doping Al  pada temperatur annealing 300°C memiliki nilai resitivitas yang optimum yaitu 2,89 x 102  Wcm. Hal tersebut konsisten dengan hasil XRD yang menyatakan bahwa film tipis zinc oksida yang di doping  dengan  aluminium oksida pada temperature 300°C memiliki ukuran kristal yang semakin besar, kompak dan homogen.Growth of zinc oxide doped aluminum oxide thin film with annealing temperature variation using dc magnetron sputtering method has been done. Effect of annealing temperature variations on the structure and electrical properties of thin films has studied using XRD and I-V meter. According to XRD characterization, thin film was obtained has wurtzite structure with dominant orientation is (002). Increasing of annealing temperature on the growth process was increased the intensity of orientation (002). Furthermore, the electrical properties were measured using I-V meter.  Zinc oxide doped Al thin film shows the optimum resistivity around of 2.89 x 102 Wcm when the annealing temperature of 300 °C. This is consistent with XRD results which is the Zinc oxide doped aluminum oxide thin has a crystal size is getting bigger, dense, and homogeneous at annealing temperature 300°C.
Co-Authors A A Wibowo, A A B Astuti, B D Ariyanto, D E Wibowo, E N M D.P, N M P Marwoto S N Mahmudah, S N Sugianto -