Purqon, Acep
Institut Teknologi Bandung

Published : 2 Documents Claim Missing Document
Claim Missing Document
Check
Articles

Found 2 Documents
Search

The Effects of Atomic Substitutions (Bismuth, Gallium, Arsenic) on Electronic and Magnetic Properties of Carbon Nanotubes Aprilia, Ely; Muttaqien, Fahdzi; Purqon, Acep; Suprijadi, Suprijadi
Jurnal Matematika dan Sains Vol 20 No 1 (2015)
Publisher : Institut Teknologi Bandung

Show Abstract | Download Original | Original Source | Check in Google Scholar

Abstract

Investigations of carbon nanotubes (CNT) properties by substituting impurity atoms are interesting, since the the defects show different properties and potentially wide applications. In this paper, we investigate the effects of atomic substitutions (Bismuth, Gallium, Arsenic) on electronic and magnetic properties of CNT by using Density Functional Theory method with Generalized Gradient Approximation. Our results show that Bismuth and Arsenic doped on zigzag CNT (10, 0) give the band gap and magnetic moment 0.19 eV and 2 μB, respectively. In contrast, Gallium doped shows no band gap and change the semiconductor properties of zigzag edge CNT (10, 0) into metal. Furthermore, the moment magnetic for Gallium-Arsenide doped CNT (10, 0) is 1 μB. Keywords: Atomic substitution, Band gap, Carbon nanotubes (CNT), DOS, Impurity.   Pengaruh Atom Pengganti (Bismut, Galium, Arsenik) pada Sifat Elektronik dan Magnetik Karbon Nanotube Abstrak Kecacatan pada struktur CNT mengakibatkan adanya perubahan sifat elektronik dan magnetiknya. Perubahan sifat inilah yang menyebabkan CNT  menarik untuk diteliti karena berpotensi memiliki aplikasi yang luas. Pada penelitian ini, dibahas mengenai  efek dari atom pengganti (Bismut, Galium dan Arsen) pada sifat elektronik dan magnetik CNT(10,0) yang dihitung dengan menggunakan teori fungsional kerapatan dan Generalized Gradient Approximation. Hasilnya menunjukan bahwa atom pengotor Bismut dan Arsen pada CNT (10,0) menghasilkan band gap sebesar 0.19 eV dan momen magnetik sebesar 2 μB. Sedangkan atom pengotor Galium tidak menghasilkan band gap pada CNT(10,0) dan mengubah sifat semikonduktor CNT(10,0) menjadi metal. Dari perhitungan didapatkan juga magnetik momen pada CNT (10,0) dengan atom pengotor Galium dan Arsen sebesar 1 μB. Kata kunci: Atom pengganti, Band gap, Karbon nanotube, DOS, Ketidakmurnian.
Simulasi Aliran Plasma dengan Variasi Kecepatan Injeksi Plasma pada Potensial Penghalang dalam Posisi Melayang Faisal, Muliady; Purqon, Acep
Jurnal Saintifik Vol 4, No 2 (2018): volume 4 nomor 2 juli 2018
Publisher : Fakultas MIPA UNSULBAR

Show Abstract | Download Original | Original Source | Check in Google Scholar | DOI: 10.31605/saintifik.v4i2.179

Abstract

Dalam penelitian ini akan diperlihatkan bentuk difusi aliran plasma yang terjadi akibat variasi kecepatan injeksi plasma pada sebuah potensial penghalang dalam posisi melayang pada kasus distribusi kerapatan muatan dan daerah potensial listrik yang diturunkan dari persamaan Poisson. Metode yang digunakan dalam penelitian ini adalah Particle-In-Cell (PIC). Dalam metode PIC, elektron dan proton merupakan sumber dari plasma. Secara numerik step waktu yang digunakan dalam penelitian yaitu setiap 1 detik dengan periode plasma selama 200 detik dan grid yang digunakan yaitu 20 x 20. Adapun potensial penghalangnya berbentuk persegi. Dari variasi kecepatan injeksi berpengaruh terhadap kerapatan muatan sehingga jika kecepatan injeksinya diperbesar maka akan terdapat daerah kosong yang tidak terisi dibelakang potensial penghalang. Sedangkan untuk daerah potensial listrik jika kecepatan injeksi plasmanya diperbesar maka daerah dibelakang potensial penghalang akan terdapat daerah yang berpotensial yang lebih kecil.Kata kunci: Plasma, PIC, Potensial penghalang