<![CDATA[Penumbuhan film tipis CuPc di atas substrat SiO2 dengan metodepenguapan hampa udara (Model JEOL JEE-4X) telah dilaksanakan. Aktivitas inimerupakan langkah awal untuk mengembangkan sensor gas berbasis CuPc.Penumbuhan film tipis CuPc dilakukan dengan 2 variabel penelitian, yaitu waktudeposisi dan kuat arus pada alat vacuum evaporator. Karakteristik film tipis CuPctelah dianalisis didasarkan pada struktur mikro dengan menggunakan X-RayDiffraction (X-RD) and Scanning Electron Microscopy (SEM). Selanjutnya hasil XRDuntuk masing-masing sample telah dianalisis oleh ICDD ((International Centrefor Diffraction Data). Pada sisi lain, permukaan dan ketebalan film tipis CuPcdianalisis dengan gambar hasil dari SEM. Hasil spektrum dari X-RD diperoleh bahwafilm CuPc dideposisikan dengan kuat arus 35 A ââ¬â 50 A menunjukkan adanyapeningkatkan kristal dalam film tipis CuPc.Ketebalan film tipis CuPc yangdideposisikan dengan pengaturan kuat arus 40 A, 45 A dan 50 adalah berturut-turut2,1 üm, 2,4 üm dan 4,8 üm. Film tipis CuPc yang didasarkan pada hasil deposisidapat dikatakan bahwa film dengan pengaturan kuat arus 45 A pada alat penguapanhampa udara merupakan karakteritik optimum pertama . Kesimpulan yang diperolehadalah film tipis CuPc dengan ketebalan akan meningkat, jika kuat arus yangdiaplikasikan pada alat penguapan ruang hampa juga ditingkatkan.Pembuatan OFETberbasis CuPc dilakukan dengan membuat struktur bottom-contact. Proses diawalidengan pencucian substrat Si/SiO2 dengan etanol dalam ultrasonic cleaner. Untukstruktur bottom-contact, setelah dilakukan pencucian substrat selanjutnyamendeposisikan elektroda source/drain di atas lapisan SiO2 menggunakan bahanemas murni dengan metode lithography.Kata kunci : Copper Phthalocyanine(CuPc), film tipis CuPc, vacuum evaporator]]>
Copyrights © 2010
