- Sujarwata
Jl. Candi Tembaga Raya 659 Pasadena Semarang Telp: (024) 7607027, Mobile Phone: 081326363687

Published : 4 Documents Claim Missing Document
Claim Missing Document
Check
Articles

Found 4 Documents
Search

PENINGKATAN HASIL BELAJAR ELEKTRONIKA DASAR II MELALUI PENERAPAN MODEL PEMBELAJARAN PROBLEM SOLVING LABORATORY Sujarwata, -
Jurnal Pendidikan Fisika Indonesia Vol 5, No 1 (2009)
Publisher : Jurusan Fisika, Fakultas Matematika dan Ilmu Pengetahuan Alam, Universitas Negeri Semarang

Show Abstract | Download Original | Original Source | Check in Google Scholar

Abstract

Penelitian ini bertujuan untuk mengetahui peningkatan hasil belajar siswa SMP dengan pendekatan keterampilan proses pada pokok bahasan suhu dan pemuaian. Penelitian dilaksanakan dengan metode pre-post eksperimen tanpa kendali. Pre dan pos tes dilakukan untuk melihat peningkatan pemahaman konsep siswa. Pengamatan keterampilan dan sikap ilmiah dilakukan pada awal dan akhir kegiatan laboratorium berbasis inkuiri. Data penelitian diambil sebelum percobaan, selama percobaan, dan setelah percobaan. Hasil belajar pretes pemahaman konsep diperoleh rata-rata 51%, postes 61,73%, dan gain sebesar 0,219 (low-gain). Hasil belajar keterampilan proses, pengamatan awal diperoleh rata-rata 54%, pengamatan akhir 76%, dan gain sebesar 0,478 (medium-gain). Hasil pengamatan sikap ilmiah awal siswa rata-rata 55%, pengamatan akhir 67%, dan gain sebesar 0,267 (low-gain). Jadi hasil belajar siswa pada penelitian ini mengalami peningkatan. The research aimed to observe the improvement of junior high Scholl students in learning on temperature and expansion by process skill approach. Uncontrolled pre-post experiment method was used in this study. Pre and post test was used to obtain the students understanding. The observation of skills and scientific attitudes was done on the beginning and at the end of each inquiry based laboratory activity. The data extracted from beginning, during and after labs activity. The achievements in concept understanding yield the value of 51 % for pre test  and  61.73%  for post test  thus gain the gain is 0.219 (low gain). The achievements in process skills end up with the value of 54 % for initials and 76% for the finals observations give the gain of 0.478 (medium-gain). The observations in scientific attitude give the average value 55% at the beginning and 67% at the end, so the gain is 0,267. Overall conclusion, the students achievement is improved.Keywords: science; process skills; learning achievements
PEMANFAATAN LIMBAH SERBUK GERGAJI SEBAGAI BAHAN PEREDAM BUNYI Sujarwata, -; Sarwi, -
Jurnal Pendidikan Fisika Indonesia Vol 4, No 2 (2006)
Publisher : Jurusan Fisika, Fakultas Matematika dan Ilmu Pengetahuan Alam, Universitas Negeri Semarang

Show Abstract | Download Original | Original Source | Check in Google Scholar

Abstract

Penelitian ini dilakukan untuk mendiskripsikan sifat komposit untuk bahan peredam bunyi. Tujuan penelitian yaitu a) diskripsi koefisien serapan dan koefisien refleksi bunyi bahan komposit, dan b) mengetahui kinerja bahan pada rentang frekuensi efektif. Enam sampel dibuat dari serbuk kayu angsana, dipadu dengan gipsum, fenol-formaldehid, dan perekat resin bening, yang dibentuk silinder berdiameter 10 cm. Peralatan penelitian yang digunakan yaitu: a) Two Microphone Impedance Tube B&K 4206, b) B&K 2718, c) B&K Pulse Multi Analyzer, d) Seperangkat Komputer, Pentium IV ,512 MB, 40 GB, dengan Pulse Program v. 6.0 Printer, dan Scanner.Nilai koefisien serapan tiga komposit yang diperoleh termasuk cukup baik yakni 0.57 - 0.67, dan bekerja pada interval frekuensi efektif (600 Hz - 1.4 kHz). Tiga komposit ini dibuat dengan proporsi jumlah serbuk angsana lebih besar daripada gipsum, karena fenol dan resin dipandang berpengaruh kecil. Dua komposit yang lain berkualitas kurang baik karena memiliki nilai koefisien serapan yang rendah yakni sekitar 0.4. sedangkan satu komposit tidak memiliki karakteristik. Nilai koefisien refleksi tiga komposit berkisar 0.58 - 0.65, yang bekerja pada interval frekuensi efektif (700 Hz - 1.4 kHz). Komposit yang diperoleh pada penelitian ini kualitasnya masih perlu ditingkatkan. Kata kunci : komposit, gypsum, resin bening
STUDI PENUMBUHAN FILM TIPIS CUPC DENGAN METODE PENGUAPAN HAMPA UDARA PADA SUHU RUANG UNTUK APLIKASI SENSOR GAS Sujarwata, -; Triyana, Kuwat
Sainteknol : Jurnal Sains dan Teknologi Vol 8, No 2 (2010): December 2010
Publisher : Unnes Journal

Show Abstract | Download Original | Original Source | Check in Google Scholar | DOI: 10.15294/sainteknol.v8i2.322

Abstract

Penumbuhan film tipis CuPc di atas substrat SiO2 dengan metodepenguapan hampa udara (Model JEOL JEE-4X) telah dilaksanakan. Aktivitas inimerupakan langkah awal untuk mengembangkan sensor gas berbasis CuPc.Penumbuhan film tipis CuPc dilakukan dengan 2 variabel penelitian, yaitu waktudeposisi dan kuat arus pada alat vacuum evaporator. Karakteristik film tipis CuPctelah dianalisis didasarkan pada struktur mikro dengan menggunakan X-RayDiffraction (X-RD) and Scanning Electron Microscopy (SEM). Selanjutnya hasil XRDuntuk masing-masing sample telah dianalisis oleh ICDD ((International Centrefor Diffraction Data). Pada sisi lain, permukaan dan ketebalan film tipis CuPcdianalisis dengan gambar hasil dari SEM. Hasil spektrum dari X-RD diperoleh bahwafilm CuPc dideposisikan dengan kuat arus 35 A – 50 A menunjukkan adanyapeningkatkan kristal dalam film tipis CuPc.Ketebalan film tipis CuPc yangdideposisikan dengan pengaturan kuat arus 40 A, 45 A dan 50 adalah berturut-turut2,1 μm, 2,4 μm dan 4,8 μm. Film tipis CuPc yang didasarkan pada hasil deposisidapat dikatakan bahwa film dengan pengaturan kuat arus 45 A pada alat penguapanhampa udara merupakan karakteritik optimum pertama . Kesimpulan yang diperolehadalah film tipis CuPc dengan ketebalan akan meningkat, jika kuat arus yangdiaplikasikan pada alat penguapan ruang hampa juga ditingkatkan.Pembuatan OFETberbasis CuPc dilakukan dengan membuat struktur bottom-contact. Proses diawalidengan pencucian substrat Si/SiO2 dengan etanol dalam ultrasonic cleaner. Untukstruktur bottom-contact, setelah dilakukan pencucian substrat selanjutnyamendeposisikan elektroda source/drain di atas lapisan SiO2 menggunakan bahanemas murni dengan metode lithography.Kata kunci : Copper Phthalocyanine(CuPc), film tipis CuPc, vacuum evaporator
STUDI PENUMBUHAN FILM TIPIS CUPC DENGAN METODE PENGUAPAN HAMPA UDARA PADA SUHU RUANG UNTUK APLIKASI SENSOR GAS Sujarwata, -; Triyana, Kuwat
Sainteknol : Jurnal Sains dan Teknologi Vol 8, No 2 (2010): December 2010
Publisher : Universitas Negeri Semarang

Show Abstract | Download Original | Original Source | Check in Google Scholar | DOI: 10.15294/sainteknol.v8i2.322

Abstract

Penumbuhan film tipis CuPc di atas substrat SiO2 dengan metodepenguapan hampa udara (Model JEOL JEE-4X) telah dilaksanakan. Aktivitas inimerupakan langkah awal untuk mengembangkan sensor gas berbasis CuPc.Penumbuhan film tipis CuPc dilakukan dengan 2 variabel penelitian, yaitu waktudeposisi dan kuat arus pada alat vacuum evaporator. Karakteristik film tipis CuPctelah dianalisis didasarkan pada struktur mikro dengan menggunakan X-RayDiffraction (X-RD) and Scanning Electron Microscopy (SEM). Selanjutnya hasil XRDuntuk masing-masing sample telah dianalisis oleh ICDD ((International Centrefor Diffraction Data). Pada sisi lain, permukaan dan ketebalan film tipis CuPcdianalisis dengan gambar hasil dari SEM. Hasil spektrum dari X-RD diperoleh bahwafilm CuPc dideposisikan dengan kuat arus 35 A – 50 A menunjukkan adanyapeningkatkan kristal dalam film tipis CuPc.Ketebalan film tipis CuPc yangdideposisikan dengan pengaturan kuat arus 40 A, 45 A dan 50 adalah berturut-turut2,1 μm, 2,4 μm dan 4,8 μm. Film tipis CuPc yang didasarkan pada hasil deposisidapat dikatakan bahwa film dengan pengaturan kuat arus 45 A pada alat penguapanhampa udara merupakan karakteritik optimum pertama . Kesimpulan yang diperolehadalah film tipis CuPc dengan ketebalan akan meningkat, jika kuat arus yangdiaplikasikan pada alat penguapan ruang hampa juga ditingkatkan.Pembuatan OFETberbasis CuPc dilakukan dengan membuat struktur bottom-contact. Proses diawalidengan pencucian substrat Si/SiO2 dengan etanol dalam ultrasonic cleaner. Untukstruktur bottom-contact, setelah dilakukan pencucian substrat selanjutnyamendeposisikan elektroda source/drain di atas lapisan SiO2 menggunakan bahanemas murni dengan metode lithography.Kata kunci : Copper Phthalocyanine(CuPc), film tipis CuPc, vacuum evaporator