<![CDATA[Lapisan tipis oksida grafena tereduksi (rGO) telah berhasil digunakan sebagai elektroda lawan pada sel surya tersensitisasi warna (DSSC-dye sensitized solar cell). Lapisan oksida grafena (graphene oxide –GO) tersebut berasal dari 1 gram serbuk GO yang dilarutkan dengan 1 ml deionized water (DI). Pelapisan dilakukan di atas substrat FTO (Fluorine-doped Tin Oxide) menggunakan teknik spin-coating. Proses reduksi termal dilakukan pada suhu 200°C selama 1 jam, hal ini bertujuan untuk mengurangi kandungan oksigen pada lapisan GO sehingga terbentuklah lapisan rGO (reduced oksida grafena). Lapisan rGO tersebut kemudian digunakan sebagai elektroda lawan pada purwarupa sel surya tipe DSSC (dye sensitized solar cell) dengan struktur persambungan FTO/TiO2/Ruthenium/rGO /FTO. Karakterisasi arus tegangan (I-V) dilakukan untuk mengetahui nilai efisiensi dari purwarupa sel surya. Sebagai pembanding, sel purwarupa tanpa menggunakan elektroda lawan (non-CE) turut dikaji. Berdasarkan hasil pengukuran karakteristik arus-tegangan (I-V), nilai efisiensi yang dihasilkan oleh penggunaan elektroda lawan rGO, yaitu sebesar 3,34 % dengan nilai kerapatan arus hubung singkat (Jsc) 3,43 mA/cm2, tegangan terbuka (Voc)0,65V dan Fill Factor (FF) 54,77%. Untuk mengetahui peranan rGO pada struktur sel surya dilakukan analisa sifat resistansi sel dengan perhitungan menggunakan persamaan dioda ideal, dan didapatkan nilai hambatan seri (Rs), hambatan paralel (Rp), dan faktor ideal (n) masing-masing sebesar 5 Ωcm2 , 950 Ωcm2 dan 2,303.]]>
Copyrights © 2018
