Telah dilakukan penumbuhan lapisan tipis ZnO 0.02 mol diatas substrat Si (111) menggunakan teknik Ultrasonic Spray Pyrolysis (USP) dengan suhu tumbuh 4000C, 4500C, dan 5000C. Serbuk Zn(CH3COO)2 . 2H2O digunakan sebagai larutan precursor dengan air de-ionisasi sebagai pelarut. Berdasarkan profil warna lapisan tipis ZnO yang tumbuh diatas substrate silikon diprediksikan memiliki ketebalan sekitar 200 nm. Sementara, hasil karakterisasi menggunakan X-Ray Diffraction (XRD) pada temperature ruang menunjukan bahwa fasa kristal yang terbentuk merupakan polikristal ZnO dengan intensitas spectrum XRD yang tidak linear dengan penambahan suhu tumbuh. Kata kunci: Lapisan Tipis, Ultrasonic Spray Pyrolysis (USP), Struktur Kristal.
Copyrights © 2013