<![CDATA[Studi yang kami lakukkan membahas tentang pembuatan sel surya a-Si:H (Silikon Amorf Terhidrogenasi) dengan menggunakan teknik Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition (PECVD). Sel surya a-Si:H yang kami hasilkan dideposisi pada substrat kaca Indium Tin Oxide (ITO) yang memiliki lapisan konduktif pada lapisannya. Pembuatan lapisan aktif pada sel surya a-Si:H dengan cara mecampur gas silan dan hidrogen secara bersama didalam chamber PECVD. Sementara pada lapisan pasif sel surya a-Si:H dijaga dengan struktur yang tetap. Setelah sel surya a-Si:H terbentuk ditambah lapisan logam di bagian belakang yang berfungsi sebagai kontak listrik dan reflektor cahaya. Selain itu juga, sifat fisis yaitu ketebalan-morfologi, sifat optik yaitu celah pita, sifat elektrik yaitu konduktivitas listrik, dan karakterisasi I-V sel surya a-Si:H dikarakterisasi dengan simulator surya dan sinar matahari. Hasil kami memperlihatkan, sel surya a-Si:H lapisan aktif yang diperoleh dari pekerjaan ini, mendapatkan efisiensi konversinya yang cukup baik sebesar 8,48%. Kami meyakini bahwa pekerjaan yang kami lakukkan menjadi upaya yang baik dalam menyelesaikan permasalahan energi terbarukan di indonesia.]]>
Copyrights © 2022
