Article Per Year (5 Year)
p-Index From 2019 - 2024
0
P-Index
This Author published in this journals
All Journal JFA (Jurnal Fisika dan Aplikasinya)
Satwiko Sidopekso
Universitas Negeri Jakarta
Physics

Published : 4 Documents Claim Missing Document
Claim Missing Document
Check
Articles

Found 4 Documents
Search

 1 
Menghitung Distribusi Tekanan Udara dan Gaya Hambat Kepala Pesawat BOEING 777-200 Djoko Poernomo; Satwiko Sidopekso; Tri Susilo
Jurnal Fisika dan Aplikasinya Vol 5, No 1 (2009)
Publisher : Lembaga Penelitian dan Pengabdian Kepada Masyarakat, LPPM-ITS

Show Abstract | Download Original | Original Source | Check in Google Scholar | Full PDF (290.132 KB) | DOI: 10.12962/j24604682.v5i1.930

Abstract

Pesawat terbang akan mengalami beberapa gaya akibat adanya distribusi tekanan udara yang terjadi disekitar pesawat. Salah satu gaya yang bekerja adalah gaya hambat (drag). Distribusi tekanan udara tidak hanya dipengaruhi oleh bentuk dari benda tetapi dipengaruhi sudut serang yang terbentuk antara aliran udara dengan benda dan juga kecepatan aliran udara. Dengan menggunakan terowongan angin Suryadarma Low Speed TunnelWT-400, dilakukan pengujian terhadap kepala pesawat Boeing 777-200 terhadap perubahan sudut serang dan kecepatan aliran. Sebagai perbandingan dilakukan pula pengujian terhadap dua benda yang berbeda.
Preparasi Proses Trans-Esterifikasi Minyak Jelantah dengan menggunakan Microwave Oven Satwiko Sidopekso
Jurnal Fisika dan Aplikasinya Vol 8, No 1 (2012)
Publisher : Lembaga Penelitian dan Pengabdian Kepada Masyarakat, LPPM-ITS

Show Abstract | Download Original | Original Source | Check in Google Scholar | Full PDF (33.805 KB) | DOI: 10.12962/j24604682.v8i1.860

Abstract

Esterifikasi dilakukan untuk mendapatkan biodiesel dari minyak jelantah, microwave oven digunakan sebagai pemanas dengan variasi konsentrasi methanol diperlukan sehingga akan didapat hasil yang diharapkan. Salah satu faktor berpengaruh adalah temperature pembuatan sehingga perlu dijaga agar tidak terlalu tinggi, dengan menggunakan metode ini waktu pembuatan dapat dipersingkat serta mendapatkan pemanasan merata darigelombang micro yang diapplikasikan.  
Optimasi Sifat-Sifat Fisis Lapisan Tipis a-SiGe:H dengan Metoda HW-Cell-PECVD d Adisaputra; Satwiko Sidopekso; T. Winata
Jurnal Fisika dan Aplikasinya Vol 5, No 1 (2009)
Publisher : Lembaga Penelitian dan Pengabdian Kepada Masyarakat, LPPM-ITS

Show Abstract | Download Original | Original Source | Check in Google Scholar | Full PDF (552.662 KB) | DOI: 10.12962/j24604682.v5i1.931

Abstract

Metode Hot Wire Cell PECVD (Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition) telah berhasil dikembangkan untuk menumbuhkan lapisan tipis amorf silikon germanium terhidrogenasi (a-SiGe:H). Lapisan tipis a-SiGe:H ditumbuhkan di atas gelas corning 7059 pada temperatur filamen 800C. Campuran gas silan (SiH4) 10 % dalam gas hidrogen (H2) dan german (GeH4) 10 % dalam gas hidrogen (H2) digunakan sebagai sumber gas. Dalam metode hot wire cell PECVD, gas reaktan didekomposisi dengan filamen tungsten panas yang diletakkan diluar kedua elektroda dan paralel dengan sistem gas masukan. Dan ditumbuhkan juga dengan metoda PECVD(Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition)sebagai pembanding. Dari hasil karakterisasi diperoleh bahwalaju deposisi meningkat dari 0,31 ˙A/s sampai 1,31 ˙A/s dengan meningkatnya tekanan deposisi dari 200 sampai500 mTorr. Celah pita optik meningkat dari 1,42 eV sampai 1,65 eV dengan meningkatnya meningkatnya tekanan deposisi dari 200 sampai 500 mTorr. Dengan sensitivitas penyinaran pada orde 105, lebih baik dari metoda PECVD yang memiliki nilai maksimal 1.33x104.
Preparasi Penumbuhan Lapisan Tipis a-Si:H dengan Metode HWC-VHF-PECVD pada Variasi Daya rf Elang J.S.; Satwiko Sidopekso; T. Winata
Jurnal Fisika dan Aplikasinya Vol 5, No 2 (2009)
Publisher : Lembaga Penelitian dan Pengabdian Kepada Masyarakat, LPPM-ITS

Show Abstract | Download Original | Original Source | Check in Google Scholar | Full PDF (293.26 KB) | DOI: 10.12962/j24604682.v5i2.941

Abstract

Metode Hot Wire Cell Very High Frequency PECVD (Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition) adalah metode pengembangan dari PECVD konvensional dan merupakan metode gabungan antara VHF-PECVD dan HWC-PECVD. Pada metode ini diharapkan mendapatkan laju deposisi yang tinggi, konduktivitas yang tinggi serta kandungan hidrogen yang rendah. Lapisan tipis a-Si:H dideposisi dengan gas Silan (SiH4) 10% dalam gas Hidrogen (H2) dan ditumbuhkan di atas substrat gelas corning 7059 pada variasi daya 10-50 Watt, temperatur substrat 275C, tekanan chamber 300 mTorr, Temperatur filament 800C serta laju aliran gas SiH4 sebesar 70sccm. Dalam HWC-VHF-PECVD elemen pemanas terintegrasi pada sistem gas masukan serta peningkatan frekuensi pembangkit daya rf dari 13,56 MHz menjadi 70 MHz. Pada parameter penumbuhan tersebut diharapkan mendapatkan lapisan tipis a-Si:H yang lebih baik.
Co-Authors d Adisaputra Djoko Poernomo Elang J.S. T. Winata Tri Susilo