Article Per Year (5 Year)
p-Index From 2019 - 2024
0
P-Index
This Author published in this journals
All Journal JFA (Jurnal Fisika dan Aplikasinya)
d Adisaputra
Universitas Negeri Jakarta
Physics

Published : 1 Documents Claim Missing Document
Claim Missing Document
Check
Articles

Found 1 Documents
Search

 1 
Optimasi Sifat-Sifat Fisis Lapisan Tipis a-SiGe:H dengan Metoda HW-Cell-PECVD d Adisaputra; Satwiko Sidopekso; T. Winata
Jurnal Fisika dan Aplikasinya Vol 5, No 1 (2009)
Publisher : Lembaga Penelitian dan Pengabdian Kepada Masyarakat, LPPM-ITS

Show Abstract | Download Original | Original Source | Check in Google Scholar | Full PDF (552.662 KB) | DOI: 10.12962/j24604682.v5i1.931

Abstract

Metode Hot Wire Cell PECVD (Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition) telah berhasil dikembangkan untuk menumbuhkan lapisan tipis amorf silikon germanium terhidrogenasi (a-SiGe:H). Lapisan tipis a-SiGe:H ditumbuhkan di atas gelas corning 7059 pada temperatur filamen 800C. Campuran gas silan (SiH4) 10 % dalam gas hidrogen (H2) dan german (GeH4) 10 % dalam gas hidrogen (H2) digunakan sebagai sumber gas. Dalam metode hot wire cell PECVD, gas reaktan didekomposisi dengan filamen tungsten panas yang diletakkan diluar kedua elektroda dan paralel dengan sistem gas masukan. Dan ditumbuhkan juga dengan metoda PECVD(Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition)sebagai pembanding. Dari hasil karakterisasi diperoleh bahwalaju deposisi meningkat dari 0,31 ˙A/s sampai 1,31 ˙A/s dengan meningkatnya tekanan deposisi dari 200 sampai500 mTorr. Celah pita optik meningkat dari 1,42 eV sampai 1,65 eV dengan meningkatnya meningkatnya tekanan deposisi dari 200 sampai 500 mTorr. Dengan sensitivitas penyinaran pada orde 105, lebih baik dari metoda PECVD yang memiliki nilai maksimal 1.33x104.
Co-Authors Satwiko Sidopekso T. Winata