Ganendra: Majalah IPTEK Nuklir
Volume 9 Nomor 2 Juli 2006

PEMBUATAN LAPISAN TIPIS SnO2 DENGAN METODE SPUTTERING DC UNTUK SENSOR GAS CO

Sayono Sayono (Unknown)
Suprapto Suprapto (Unknown)
Sunardi Sunardi (Unknown)



Article Info

Publish Date
20 Jul 2006

Abstract

PEMBUATAN LAPISAN TIPIS SnO2 DENGAN METODE SPUTTERING DC UNTUK SENSOR GAS CO. Telahdilakukan pembuatan lapisan tipis SnO2 dengan metode sputtering DC untuk gas CO. Pembuatan lapisan tipis SnO2dilakukan dengan parameter sputtering pada tegangan elektroda 2 kV, arus 10 mA, tekanan vakum 5 × 10-2 torr, waktudeposisi 30 menit, 60 menit dan 120 menit pada suhu substrat 250 0C, sedangkan gas sputtering adalah gas argon.Hasil eksperimen menunjukkan bahwa lapisan tipis SnO2 yang dideposisi dengan parameter sputtering : tegangan 2kV, arus 10 mA, tekanan 5 × 10-2 Torr, waktu 120 menit dan suhu 250 °C mempunyai sensitivitas optimun 23 % untukmendeteksi gas CO pada konsentrasi 106,25 ppm. Kemudian dari hasil analisis unsur lapisan SnO2 pada kondisioptimum menggunakan SEM–EDS diperoleh Sn sebesar 31,73%, O sebesar 67,37 % atom.

Copyrights © 2006






Journal Info

Abbrev

ganendra

Publisher

Subject

Computer Science & IT Other

Description

Jurnal Iptek Nuklir Ganendra merupakan jurnal ilmiah hasil litbang dalam bidang iptek nuklir, diterbitkan oleh Pusat Teknologi Akselerator dan Proses Bahan (PTAPB) - BATAN Yogyakarta. Frekuensi terbit dua kali setahun setiap bulan Januari dan ...