Claim Missing Document
Check
Articles

Found 2 Documents
Search
Journal : Logic : Jurnal Rancang Bangun dan Teknologi

KONTROL CAHAYA LAMPU DENGAN MENGGUNAKAN REMOTE BERBASIS MIKROKONTROLER ATMEGA328 I Gede Suputra Widharma; AAN Made Narottama; Wayan Sudayana
Logic : Jurnal Rancang Bangun dan Teknologi Vol 16 No 3 (2016): November
Publisher : Pusat Penelitian dan Pengabdian kepada Masyarakat (P3M) Politeknik Negeri Bali

Show Abstract | Download Original | Original Source | Check in Google Scholar | Full PDF (285.651 KB)

Abstract

: Dalam penelitian ini dirancang peralatan untuk mengontrol cahaya lampu yang dilakukan dengan remote berbasiskan system kontrol. Pengendalian ini pada prisipnya mengendalikan daya yang masuk ke lampu LED DC. Lampu LED DC yang bekerja pada tegangan DC dapat dikontrol dengan menggunakan transistor. Proses pengaturan sudut picu dikendalikan dengan mikrokontroler. Sistem ini terdiri dari 3 blok utama yaitu: Remote, Mikrokontroler, dan Driver Transistor. Remote digunakan untuk mengkontrol input data yang masuk ke mikrokontroler. Kemudian mikrokontroler mengolah data masukan dari data remote dan mengatur lampu DC yang terhubung. Pengujian sistem dilakukan dengan cara menekan remote yang mempunyai 4 buah tombol. Tombol A dan C untuk menyalakan lampu 1 dan 2, serta tombol B dan D untuk meredupkan cahaya kedua lampu. Untuk jarak pengontrolan dengan menggunakan remote berfungsi dengan baik pada jarak 0-50 meter tanpa penghalang.
Modelling of Phosphorus and Boron Doping Concentration on SOI Wafer Based Diffusion Process Anak Agung Ngurah Gde Sapteka; Anak Agung Ngurah Made Narottama; Kadek Amerta Yasa
Logic : Jurnal Rancang Bangun dan Teknologi Vol 20 No 1 (2020): March
Publisher : Pusat Penelitian dan Pengabdian kepada Masyarakat (P3M) Politeknik Negeri Bali

Show Abstract | Download Original | Original Source | Check in Google Scholar | DOI: 10.31940/logic.v20i1.1748

Abstract

High concentration of Boron and Phosphorus elements are required in diffusion process during the fabrication of semiconductor devices such as diode and transistor based on Silicon On Insulator (SOI) wafer. Achieving high level of these elements’ concentration is the entry point for further research in the field of electronics. For this reason, the concentration of the both elements was tested by flowing Boron and Phosphorus gas with flow rate of 1.5 litre per minute into the Nitrogen furnace for 5 minutes towards the surface of the SOI wafer samples at temperatures of 880, 900 and 950 degrees Celsius. This test was carried out at Michiharu Tabe Laboratory, Research Institute of Electronics, Shizuoka University, Hamamatsu, Japan. Furthermore, the resistivity measurements of samples with Boron and Phosphorus doping were carried out. The results of resistivity were then converted to obtain the concentrations of Boron and Phosphorus on the surface of SOI wafer sample. From the concentration and temperature data, it is obtained the modelling of concentration to temperature function for Boron and Phosphorus. The modelling results show that there is a linear correlation between high concentrations of Boron and Phosphorus to temperature.