Claim Missing Document
Check
Articles

Found 1 Documents
Search
Journal : TELKA - Telekomunikasi, Elektronika, Komputasi dan Kontrol

Low Noise Amplifier Dual Stage dengan Metode π-Junction untuk Long Term Evolution (LTE) Atik Charisma; Nahal Widianto; M. Reza Hidayat; Handoko Rusiana Iskandar
TELKA - Jurnal Telekomunikasi, Elektronika, Komputasi dan Kontrol Vol 8, No 2 (2022): TELKA
Publisher : Jurusan Teknik Elektro UIN Sunan Gunung Djati Bandung

Show Abstract | Download Original | Original Source | Check in Google Scholar | DOI: 10.15575/telka.v8n2.116-125

Abstract

Long Term Evolution (LTE) merupakan teknologi tanpa kabel yang memerlukan komponen-komponen elektronika untuk mendukung performansinya. Salah satu komponen elektronika tersebut yaitu Low Noise Amplifier (LNA) sebagai penguat di bagian penerima. Penelitian ini merancamg Low Noise Amplifier dengan bantuan software berdasarkan perhitungan. LNA bekerja pada frekuensi 1,8 GHz yang merupakan pita frekuensi LTE. Tahapan perancangan LNA dimulai dari pemilihan transistor, rangkaian DC bias, dan penyesuai impedansi. Transistor ATF 34143 menjadi pilihan untuk LNA karena sesuai dengan spesifikasi yang dibutuhkan. Komponen perancangan LNA untuk rangkaian DC meliputi resistor, kapasitor, dan induktor. Salah satu metode yang digunakan pada rangkaian penyesui impedansi yaitu metode π-junction pada bagian input dan output. Rangkaian penyesuai impedansi menggunakan mikrostrip. Sebuah transitor ditambahkan secara cascade untuk meningkatkan performansi LNA. Paremeter-parameter penting sebagai kinerja LNA yaitu noise figure, faktor kestabilan, dan gain. Hasil simulasi perancangan LNA ini memperoleh nilai noise figure sebesar 0,561 dB, gain 36,463 dB, dan faktor kestabilan 1,785. Parameter hasil perancangan telah memenuhi spesfikasi LNA serta kebutuhan LTE.Long Term Evolution (LTE) is a wireless technology that requires electronic components to support its performance. One of the electronic components is the Low Noise Amplifier (LNA) as an amplifier at the receiver. This study designed a Low Noise Amplifier with the help of software based on calculations. LNA works on the 1.8 GHz frequency which is the LTE frequency band. The LNA design stages start from the selection of transistors, DC bias circuits, and impedance matching. The ATF 34143 transistor is the choice for LNA because it fits the required specifications. LNA design components for DC circuits include resistors, capacitors, and inductors. One of the methods used in impedance matching circuits is the π-junction method on the input and output sections. Impedance adjustment circuit using microstrip. A transistor is added cascade to improve LNA performance. Important parameters as the performance of LNA are noise figure, stability factor, and gain. The simulation results of this LNA design obtain a noise figure value of 0.561 dB, a gain of 36.463 dB, and a stability factor of 1.785. The design parameters have met the LNA specifications and LTE requirements.